推动高能效创新的安森美半导体持续扩充高性能绝缘门双极晶体管(IGBT)产品阵容，应用于消费类电器及工业应用的高性能电源转换(HPPC)。安森美半导体新的第二代场截止型(FSII) IGBT器件改善开关特性，降低损耗达30%，因而提供更高能效，并转化为更低的外壳温度，为设计人员增强系统总体性能及可靠性的选择。这些新器件针对目标应用进行了优化，相比现有器件能降低外壳温度达20%。

    安森美半导体功率分立产品副总裁兼总经理Paul Leonard说：“电器的使用数量持续增多，使不断增长的工业及消费市场的总能耗稳步上升。安森美半导体持续开发薄晶圆工艺及植入技术，能够显著提升IGBT性能，而这对配合更多高能效方案的需求极为重要。”

    公司推出的FSII IGBT首组产品是NGTBxxN120IHRWG和NGTBxxN135IHRW；这些器件优化了开关性能并降低了导电损耗，用于采用15千赫兹(kHz)到30 kHz的中等频率工作的电磁加热和软开关应用。器件在大电流时提供极佳的强固性和优异的导通状态特性，根据系统要求经过优化，以提供更高能效及降低系统损耗。这些高速IGBT提供领先业界的系统级性能，用于电磁加热产品，如电火锅、电饭煲及微波炉等电器。这系列器件提供1,200伏(V)及1,350 V平台版本，额定电流涵盖20安培(A)、30 A及40 A。

    安森美半导体的FSII IGBT技术进一步扩充，新产品还包括NGTBxxN120FL2WG和NGTBxxN135FL2WG系列器件，专门设计用于太阳能逆变器、不间断电源系统(UPS)及变频焊机应用。这些器件提供增强的热性能，结点工作温度范围达-55到+175°C，并将额定电流能力提升至采用TO-247封装条件下的100 A。

    安森美半导体提供高品质及可靠IGBT的实力悠久，其中通过汽车行业AEC-Q认证的IGBT量产已经超过十年。2011年，公司开始开发新的高压/大电流IGBT，用于不断增长、持续需求高能效方案的工业及消费类市场。安森美半导体采用专有沟槽场截止型IGBT技术的首个完整产品系列于2012年发布，媲美互相竞争的技术。此次发布的最新FSII IGBT技术使安森美半导体居市场领先地位。<