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IR推出坚固耐用100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET
为通信电源应用提供基准性能
新闻ID号:  48548 无标题图片
资讯类型:  新品速递
所属类别:  通信电源; 功率器件
关 键 字:  通信电源/功率MOSFET/功率半导体
内容描述:  全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司推出100V FastIRFET功率MOSFET IRFH7185TRPbF,为通信应用中的DC-DC电源提供基准性能。
发布时间:  2014/3/17 13:46:10
更新时间:  2014/3/17 13:46:10
审核情况:  已审核开通[2014/3/17 13:46:10]
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发 布 者:  电源在线
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    全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司推出100V FastIRFET功率MOSFET IRFH7185TRPbF,为通信应用中的DC-DC电源提供基准性能。

IR推出坚固耐用100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET

    IRFH7185TRPbF采用IR全新的100V FastIRFET工艺,提供基准的导通电阻栅极电荷品质因子 (Rds(on)*Qg figure of merit),以实现更高效率和功率密度,并且提高系统可靠性。

    IR亚太区销售副总裁潘大伟表示:“IRFH7185TRPbF提供超低导通电阻,并且比同类型器件的栅极电荷显著降低,所以从轻载到满载都能达到高性能的要求。IR全新的100V FastIRFET器件提高雪崩电流密度达20%,为DC-DC通信电源提供行业最坚固耐用的解决方案。”

    IR FastIRFET器件可与各种控制器或驱动器配合使用,从而使设计更灵活,在更小的占位面积实现更高的电流、效率和频率。IRFH7185TRPbF达到工业级标准和第一级湿度敏感度 (MSL1) 标准,并采用了行业标准封装5x6 PQFN,所采用的材料环保,不含铅,并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS)。

    规格

IR推出坚固耐用100V FastIRFET PQFN 5×6功率MOSFET<