推动高能效创新的安森美半导体，针对数据网络、电信和工业应用推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列，进一步扩大其宽广的产品阵容。

    这些器件能提供低得令人难以置信的导通电阻RDS(on) 值，从而将导通损耗降至最低并提升整体工作能效水平。它们还有低至2164皮法(pF)的门极电容(Ciss)，确保保持尽可能低的驱动损耗。

    安森美半导体新的NTMFS5C404NLT、NTMFS5C410NLT 和 NTMFS5C442NLT MOSFET额定击穿电压为40伏(V)，最大导通电阻值(Vgs为10 V时)分别为0.74毫欧(mΩ)、0.9 mΩ和2.8 mΩ，连续漏电流分别为352安(A)、315 A和127 A。与这些器件相辅相成的NTMFS5C604NL、NTMFS5C612NL 和 NTMFS5C646NL，额定击穿电压60 V，最高导通电阻分别为1.2 mΩ、 1.5 mΩ 和 4.7 mΩ，而相关的连续漏电流为287 A、 235 A 和 93 A。40 V和60 V的这两种器件的额定工作结温都高达175 ˚C，从而为工程师的设计提供更大的热余裕。安森美半导体将推出采用更多的电阻值和不同的封装，如micro8FL、DPAK 和 TO220来扩大此产品线。

    安森美半导体功率分立产品副总裁兼总经理Paul Leonard说：“OEM的工程团队不断致力于创建更高能效的电力系统设计，同时占用更少用板空间。我们新加的器件扩大了我们广泛的功率MOSFET产品阵容，为客户提供高性能的器件，采用紧凑的、高热能效的封装，帮助他们达到更高能效的设计目标。”<