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大联大友尚集团推出ST新款高性能功率MOSFET
新闻ID号:  57434 无标题图片
资讯类型:  新品速递
所属类别:  功率器件
关 键 字:  高性能功率MOSFET/大联大友/电源解决方案
内容描述:  致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下友尚推出ST MDmesh™ M2系列的新款N-通道功率MOSFET---600V MDmesh M2 EP。该系列MOSFET能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费性电子产品电源提供业界最高能效的电源解决方案,在低负载条件下的节能效果特别显著
发布时间:  2016/1/5 11:01:51
更新时间:  2016/1/5 11:01:51
审核情况:  已审核开通[2016/1/5 11:01:51]
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发 布 者:  电源在线
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    致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下友尚推出ST MDmesh™ M2系列的新款N-通道功率MOSFET---600V MDmesh M2 EP。该系列MOSFET能够为服务器、笔记本电脑、电信设备及消费性电子产品电源提供业界最高能效的电源解决方案,在低负载条件下的节能效果特别显著,让设计人员能够开发更轻、更小的开关式电源,同时轻松达到日益严苛的能效目标要求。

    新款600V MDmesh M2 EP产品整合ST经市场验证的条形布局(strip layout)和全新进化的垂直结构与优化的扩散制程(diffusion process),拥有优秀的开关设计,包括极低的导通电阻和关机开关损耗,是特别为超频功率转换器(f> 150 kHz)专门设计,为要求最严苛的电源供应器(PSU,Power Supply Unit)的理想选择。

大联大友尚代理的ST600V MDmesh M2 EP照片

图示1-大联大友尚代理的ST600V MDmesh M2 EP照片

    硬开关和软开关电路拓扑均适用,包括谐振拓扑(resonant topologies),例如LLC谐振,新器件的开关损耗极低,特别是在低负载条件下,低损耗更为明显。除MDmesh M2产品的闸极电荷(Qg)极低外,M2 EP产品的关机能耗(Eoff )还可降低20%,而在硬开关转换器中,关机损耗同样降低20%。在低电流范围内降低Eoff损耗,有助于提高低负载能效,进而协助电源厂商顺利达成日益严苛的能效认证要求。

    升级后的关机波形(turn-off waveforms)可提高谐振转换器的能效、降低噪声,每周期回收再利用更多电能,而不是以散热的形式浪费掉。

    新款MDmesh M2 EP系列的主要特性:

    极低的闸极电荷(Qg低至16 nC)

    针对轻负载条件优化电容曲线(capacitance profile)

    针对软件开关优化Vth和Rg参数

    稳健的本体二极管(body diode)

    MDmesh M2 EP系列锁定需要高能效的电源应用,提供多种封装选择(PowerFLAT 5x6 HV、DPAK、D2PAK、TO-220、TO-220FP、I2PAKFP、TO-247),所有产品均已量产。<