一谈起IGBT，半导体制造的人都以为不就是一个分立器件嘛，有些瞧不上眼。然而它是目前功率电子器件里技术最先进的产品，其应用非常广泛，小到电磁炉、大到飞机船舶、轨道交通、新能源汽车、智能电网等战略性产业，被称为电力电子行业里的“CPU”。

    什么是IGBT？

    绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

    IGBT的发展

    1982年美国RCA公司和GE公司先后发明了IGBT。1985年日本东芝开始了抗闩锁效应的IGBT商业化生产，1988年美国IR公司推出了系列化的IGBT产品。由于它的开关速度快，且没有传输效率损失，立刻就引起了业界的青睐。在近30年的发展，IGBT产品已经进入第六代、第七代，电压也从起初的上百伏做到了几千伏。

    根据市场调研机构Yole的报告显示，全球IGBT市场规模在未来几年时间将继续保持稳定的增长势头，市场规模至2018年将达到60亿美元的数值。 在产品分布上，虽然600~900V的IGBT是目前市场上的主流产品，但伴随着轨道交通、再生能源、工业控制等行业市场在近几年内的高速成长，对更高电压应用的IGBT产品（1200V~6500V）提出了强烈的需求。

    2014年全球IGBT市场规模为38.45亿美元，预计到2020年市场规模达65亿美元，年复合成长为9%

    中国 IGBT增长空间非常大， 2014年IGBT的销售额是88.7亿元，约占全球市场的1∕3。预计到2020，中国 IGBT将超180亿元，年复合成长率为13%。

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