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宽输入范围、No RSENSE 电流模式升压、反激式和 SEPIC 控制器可在高达 175ºC 工作
新闻ID号:  60234 无标题图片
资讯类型:  新品速递
所属类别:  功率器件
关 键 字:  半导体/凌力尔特/N沟道功率MOSFET
内容描述:  亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 宣布推出宽输入范围、电流模式、升压、反激式或 SEPIC 控制器 LTC1871X,该器件驱动 N 沟道功率 MOSFET,需要极少的外部组件。LTC1871X 适用于低至中功率应用,通过利用功率 MOSFET 的导通电阻
发布时间:  2017/4/21 10:29:34
更新时间:  2017/4/21 10:29:34
审核情况:  已审核开通[2017/4/21 10:29:34]
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发 布 者:  电源在线
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    亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 宣布推出宽输入范围、电流模式、升压、反激式或 SEPIC 控制器 LTC1871X,该器件驱动 N 沟道功率 MOSFET,需要极少的外部组件。LTC1871X 适用于低至中功率应用,通过利用功率 MOSFET 的导通电阻,而无需电流检测电阻器,因此最大限度提高了效率。LTC1871X 的设计为高达 175°C 的高温环境进行了优化。

    其 2.5V 至 36V 输入电压范围非常适合高温应用,例如电源范围为 3V 至 36V 的石油勘探钻井设备。LTC1871X 的电气参数在高达 175°C 时 100% 经过测试,在 –40°C 至 175°C 的整个温度范围内提供 ±2% 的 VREF 准确度。LTC1871X 可灵活地用于升压、SEPIC 或反激式拓扑,非常适合井下钻孔应用中常见的多种电池供电应用。LTC1871X 的突发模式 (Burst Mode®) 运行提供低静态电流,很适合需要延长电池运行寿命的应用。专门的 Cu / Ni / Au 接合焊盘镀层确保在高温环境中实现长寿命,同时纤巧的 MSOP-10 封装提供了占板面积高度紧凑的解决方案。

    LTC1871XMS 采用 MSOP-10 封装,千片批购价为每片 125.00 美元,有现货供应。

宽输入范围、No RSENSE 电流模式升压、反激式和 SEPIC 控制器可在高达 175ºC 工作

    照片说明:宽输入范围、No RSENSE™ 电流模式升压、反激式和 SEPIC 控制器可在温度高达 175°C工作

    性能概要: LTC1871X

    ·在 175°C 时 100% 经过测试

    ·在 –40°C 至 175°C 范围内提供 ±2% 基准准确度

    ·高效率 (无需检测电阻器)

    ·宽输入电压范围:2.5V 至 36V

    ·电流模式控制提供卓越的瞬态响应

    ·高的最大占空比 (典型值为 92%)

    ·具 100mV 迟滞的 ±2% RUN 引脚门限

    ·微功率停机:IQ = 10μA

    ·可用一个外部电阻器编程的工作频率 (65kHz 至 900kHz)

    ·可同步至一个高达 1.3 × fOSC 的外部时钟

    ·由用户控制的脉冲跳跃或突发模式运行

    ·内部 5.2V 低压差稳压器

    ·输出过压保护

    ·能用一个检测电阻器运行,适用于高输出电压应用

    ·小型 10 引线 MSOP 封装<