近日，中车时代电气半导体与客户合作再度升级，将有5万只汽车IGBT模块装车运行。此次深化产业合作，将全面推动我国汽车IGBT产品的提升。

    IGBT作为新能源汽车电驱动系统的核心功率器件，其性能直接影响电动汽车整车运行性能。由于汽车运行工况复杂，可靠性要求严苛，且IGBT技术门槛高，曾长期被德国、日本等国家所垄断，这对国产汽车IGBT提出了巨大的挑战。

    中车时代电气半导体自主研发的IGBT模块产品，采用自产芯片，该芯片为第五代Tmos+技术，结合了沟槽栅+场截止+载流子存储先进技术，表现出低的导通损耗，软的开关特性，具有较宽的短路安全工作区(SCSOA)和反向偏置安全工作区(RBSOA)。实际极限测试中，可耐受短路电流超过6倍额定电流，关断能力超过4倍额定电流。产品批量运用之前，已成功试装在电动汽车电机控制器中，产品经过实际运营路线考核，性能表现良好，可满足电动汽车电机控制器极限应用工况的需求。