中国上海，2019年12月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。

　　MOSFET产品图

　　新产品是东芝首款[1]采用紧凑型SOP Advance（WF）封装的车用100V N沟道功率MOSFET。封装采用可焊锡侧翼端子结构，安装在电路板上时能够进行自动目视检查，从而有助于提高可靠性。新型MOSFET的低导通电阻有利于降低设备功耗；XPH4R10ANB拥有业界领先的[2]低导通电阻。

　　应用：

　　・汽车设备
　　电源装置（DC-DC转换器）和LED头灯等（电机驱动、开关稳压器和负载开关）

　　特性：

　　・东芝的首款[1]100V车用产品使用小型表面贴装SOP Advance（WF）封装
　　・通过AEC-Q101认证
　　・低导通电阻：
　　RDS(ON)=4.1mΩ（最大值）VGS=10V（XPH4R10ANB）
　　RDS(ON)=6.3mΩ（最大值）VGS=10V（XPH6R30ANB）
　　・采用可焊锡侧翼端子结构的SOP Advance（WF）封装

　　主要规格：

　　注释：

　　[1]截至2019年12月25日

　　[2]在同样规格的产品中，截至2019年12月25日。东芝调查。