近日，英飞凌科技股份有限公司(FSE：IFX/OTCQX：IFNNY)推出650 V CoolSiC Hybrid IGBT单管产品组合，具有650 V阻断电压。新款CoolSiC Hybrid产品系列结合了650 V TRENCHSTOP 5 IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点，具备出色的开关速度和更低的开关损耗，特别适用于DC-DC功率变换器和PFC电路。其常见应用包括：电动车辆充电设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源系统(UPS)，以及服务器和电信用开关电源(SMPS)。

　　由于续流SiC肖特基二极管与IGBT在共同封装中，在dv/dt和di/dt值几乎不变情况下，CoolSiC Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。与标准的硅二极管解决方案相比，新产品可降低多达60%的Eon和30%的Eoff。或者，也可在输出功率保持不变情况下，提高开关频率至少40%。较高的开关频率有助于缩小无源元件的尺寸，进而降低物料清单成本。该Hybrid IGBT可直接替代TRENCHSTOP5 IGBT，无需重新设计，便能使每10 kHz开关频率提升0.1%的效率。

　　此产品系列可作为纯硅解决方案和高性能SiC MOSFET设计之间的另一种选择，与纯硅设计相比，Hybrid IGBT可提升电磁相容性和系统可靠性。由于SiC肖特基二极管能快速换流，而不会有严重的振荡和寄生导通的风险。此系列提供TO-247-3或TO-247-4引脚的Kelvin Emitter封装供客户选择。Kelvin Emitter封装的第四管脚可实现超低电感的栅极驱动控制回路，并降低总开关损耗。

　　目前，深圳科士达科技股份有限公司已成功导入650 V CoolSiC Hybrid IGBT单管在其UPS与组串式光伏逆变器的新平台设计中，从而提升系统效率，优化系统性能。

　　深圳科士达科技股份有限公司董事长刘程宇就此表示：“科士达将与英飞凌有长年战略合作历程，持续在不间断电源与太阳能领域提供高可靠性的前沿科技产品，我们将在未来继续合作，在纵深的基础上开展更广泛的合作发展。”

　　英飞凌科技副总裁、工业功率控制事业部大中华区负责人于代辉表示：“我们的创新来自于技术进步和客户的需求。把Hybrid IGBT技术从模块导入到单管，以满足客户对高能效系统的追求，满足系统设计的灵活性，从而提高客户的竞争能力。”

　　供货情况

　　CoolSiC Hybrid分立式IGBT系列延续先前所推出采用IGBT和CoolSiC肖特基二极管的CoolSiC Hybrid IGBT EasyPACK 1B和2B模块的成功经验。此分立式产品组合即日起接受订购。系列包含与半额定CoolSiC第6代二极管共同封装的40A、50A和75A 650 V TRENCHSTOP 5超高速H5 IGBT，或与全额定CoolSiC第6代二极管共同封装的中等速度S5 IGBT。如欲了解更多信息，敬请浏览www.infineon.com/coolsic-hybrid-discretes。