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　　根据《日本经济新闻》7日报导，第三代半导体碳化硅（SiC）的专利竞争激烈，相关专利数量最多的前五名都是来自美国、日本的大企业。

　　其中第一名是美国科锐（Cree），接下来是日本罗姆（Rohm）、住友电工、三菱电机和Denso。

　　图片来自：日本经济新闻​

　　日本经济新闻报道称，根据从事专利分析的日本Patent Result所整理出的数据，在与第三代半导体碳化硅有关的专利方面，美国Cree所持有的专利数量最多，二到四名则全部被日本企业包办。

　　Patent Result的计算方式是基于2021年7月29日为止的美国已发行专利数量，再把数量及瞩目程度转换成分数来算出得分。

　　碳化硅可取代以往半导体材料的硅利光（Silicone），特别是在功率半导体等用途上，可提升性能、也有利节能。目前碳化硅已普遍使用在电动车和太阳光电系统的变频器上头，用途也愈来愈广。还有在脱碳潮流的发展之下，碳化硅的应用也备受瞩目。

　　按照Patent Result的分析，第一名Cree的强项是在碳化硅基板和磊晶领域，第二名和第五名的罗姆和Denso的专长是在电力损失的降低方面，第三名的住友电工擅长于碳化硅的结晶结构，第四名的三菱电机则在半导体装置的构造方面拥有强项。