陈子颖
英飞凌科技工业功率控制事业部市场总监
SiC毕竟是新材料,新技术,所以从材料、供应链到应用的成熟性需要一个过程,时机是很重要的。而且英飞凌在产品的技术研发方面是比较慎重的,对产品质量管控比较严格,为了向用户提供品质、可靠性更好的SiC产品,英飞凌花了30年时间不断进行技术打磨和沉淀。而且有重大突破的:
1、英飞凌是第一个采用沟槽栅做SiC MOSFET,这一技术很好解决了栅极氧化层的可靠性问题,也提高了SiC MOSFET的性能。
2、英飞凌还在积极投资一些创新的技术,从而能够更好的成就我们的生产效率和良率的提升。2018年我们收购了一家碳化硅的冷切割技术的高科技公司Siltectra。英飞凌也在不断的对其技术的应用进行长期的投入,近期我们也得到一些好的消息,首批的测试产品已经完成了生产的资格,同时我们接下来也会用一个试生产线来加大量产的速度。
这种冷切割的芯片切割技术,实际上对于碳化硅来说,非常高的价值在于它可以大大的减少对规定的原材料的浪费,所以我们可以用同样数量的原材料切割成加倍的晶圆来供生产。
在今年的PCIM,英飞凌会展出增强型SiC MOSFET芯片技术;.XT技术的单管,最大规格低至7毫欧;低至2毫欧的Easy3B 半桥模块;1.7kV和2kV芯片技术及其产品。
苏勇锦
罗姆半导体(深圳)有限公司技术中心高级经理
作为碳化硅元器件的领军企业之一,罗姆一直致力于先进产品的开发,早在2010年便于业界首次量产SiC MOSFET。在车载领域,罗姆于2012年推出了支持AEC-Q101认证的车载品,并在车载充电器(OBC)领域拥有很高的市场份额。此外,罗姆碳化硅产品还应用于车载DC/DC转换器等领域。2020年6月,罗姆发布了业界先进的第4代低导通阻抗碳化硅MOSFET。与以往产品相比,在不牺牲短路耐受时间的前提下,成功实现业界较高水平的低导通电阻。此产品非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。
今后将继续通过与汽车厂商和车载厂商的合作,在推进更高效率更高品质的产品开发的同时,提供丰富的解决方案。
夏超
安森美中国区汽车现场应用工程师
安森美作为SiC领域的领军企业之一,致力于为客户提供高效可靠的功率器件。为实现这一目标,安森美从衬底生长-晶圆刻蚀-芯片封装-系统集成这四个方向来加以整合升级。
从第三代半导体方面的进展来看,安森美在SiC衬底上可以实现 6英寸和8英寸的自主生产;晶圆的生产重心正逐步从6英寸向8英寸产线转移,可在一定程度上缓解市场上芯片荒的局面;在器件的封装方面,安森美具有完整高效的生产体系,可以实现不同层次客户应用的需求;在系统集成方面,安森美拥有优秀的现场应用工程(FAE)团队,可以根据客户具体的需求,为客户提供最佳的解决方案。
安森美未来的主攻方向将会是智能电源与智能感知两大方向:在智能电源方面,可持续发展成为电源高能效的需求驱动力,同时汽车、工业等也在加速电气化和自动化;在感知层面,汽车业通过智能感知的技术可加快L2级以上自动驾驶的步伐,而工业自动化可获得更高的产出效率。安森美一方面将顺应中国发展大趋势,推动智能电源和智能感知技术的发展,持续关注汽车功能电子化、自动驾驶、机器视觉、工厂自动化、5G、云电源领域。另一方面将持续发挥价值,与中国的战略客户建立联合实验室,提供更加智能和高度差异化的产品。公司将对中国的制造基地进行优化升级,以顺应新能源汽车、工业等行业的大趋势。最重要的是,安森美将与中国的战略客户签订长期供应协议,保障客户的供应链安全。与此同时,安森美也会积极支持中国的2030碳达峰、2060碳中和等目标的实现。
练俊
丹佛斯硅动力有限公司大客户经理
丹佛斯目前主打的汽车级SiC功率模块平台DCM™1000X市场反响强烈,为适应市场需求,丹佛斯正加紧布局国际市场,欧洲、美国及中国的产线正在高速建设中。其中采用Cree三代芯片的1200V模块在保证可靠性的前提下已经实现了领先的功率密度和输出能力。丹佛斯专注于封装技术的持续创新,且在芯片选择上是独立灵活的,市场上最新出现的Cree的Gen3+以及其他厂家的最新产品已经在评估中。未来我们会开发出更多款满足客户不同性能,成本和供应安全要求的产品,以适应客户最前沿的SiC需求。
Power Integrations市场营销副总裁 Doug Bailey
除了如前所述将SiC开关与驱动器封装在IC中之外,Power Integrations还是为工业、牵引和可再生能源应用提供SiC模块驱动器的领导者。我们的SCALE™-2 ASIC技术可实现有源钳位短路保护、高效并联并减少BOM数量。这有助于提高可靠性并降低系统成本。
何黎
万国半导体元件(深圳)有限公司Marketing Manager
AOS自2015年布局第三代半导体以来,持续不断的增加对第三代半导体的投资,目前主要以SiC为主。我司的第二代的1200V/750V/650V SiC MOSFET产品已经全线推出市场,模块类的产品也即将量产,未来除了继续平台迭代以外,将会不断完善和丰富模块类的产品线。
陈鑫磊
泰克科技行业开发经理
泰克科技计划为第三代功率半导体行业提供从晶圆侧,封装测,系统应用侧全面解决方案。目前泰克推出了全新的TIVP系列光隔离探头,转为第三代功率半导体SiC和GaN研发,配合泰克12bit 高精度多通道示波器,组成SiC特性测试的强强组合,高达120dB共模抑制比,高达1GHz 带宽,具有超高抗干扰性能,为SiC特性测试提供了准确可靠的测试技术。当然结合泰克旗下品牌Keithley的4200A和2600-PCT晶圆级参数测试方案和我们积极投入研发推出本土化SiC可靠性测试方案,和SiC 器件及模块的动静态性能测试方案,实现了全产业链的测试方案,来支持SiC器件厂家提升器件性能和良品率,支持电源工程师更好的应用和发挥SiC器件的特性,从而助力绿色能源的发展。