|
|
| 新闻ID号： |
7615 |
 |
| 资讯类型： |
嘉宾访谈 |
| 所属类别： |
元器件 |
| 关 键 字： |
Cree/碳化硅 |
| 内容描述： |
～ |
| 发布时间： |
2006/8/10 12:06:36 |
| 更新时间： |
2006/8/21 10:29:11 |
| 审核情况： |
已审核开通[2006/8/10 12:06:36] |
| 浏览次数： |
共 6211 人/次 |
| 新闻来源： |
电源世界网 作者：祝世奎 |
| 链 接： |
～ |
| 责任编辑： |
～ |
| 发 布 者： |
电源在线 |
| 图片文件： |
|
| 保存文件：20068101243429126.gif|20068101253443712.gif|20068101262849711.jpg |
|
| 路径文件：/uploadfile/newspic/20068101243429126.gif|/uploadfile/newspic/20068101253443712.gif|/uploadfile/newspic/20068101262849711.jpg |
|
| 管理操作： |
修改 设置为未审核 发布新闻资讯 |
| 内 容： |
编者按：碳化硅（SiC）是半导体界公认的“一种未来的材料”，是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料，由于碳化硅的各种特点，使得近年来通态电阻低并且散热性好的碳化硅器件得到迅速发展，由碳化硅制成的肖特基二极管也得到了广泛应用。面对如此朝气蓬勃的行业，美国CREE公司独占鳌头，占据了全球市场的半壁江山。是什么原因使SiC材料炙手可热，CREE的SiC肖特基二极管在中国的市场前景如何，抱着这些问题，我们有幸采访了CREE 亚太区销售总监严启南先生（以下简称“严总”）。
Cree亚太区销售总监严启南先生
产品——卓越性能 应用广泛
Si是一种性能通用、价格便宜的半导体材料，应用范围相当广泛，但在某些应用方面存在一些不足，如：高温、高压作业方面。以肖特基二极管为例，严总说到，利用Si片无法做到高压肖特基二极管，一般为60V、100V，最高也只能达到200V。但将同样的工艺用在SiC方面，却可以做到600V、1000V、2000V。
关于SiC材料的特点，严总将其和Si材料进行了对比。碳化硅半导体的能带间隔为硅的2.8倍，其绝缘击穿场强为硅的5.3倍，其导热率是硅的3.3倍。与碳化硅相同耐压的硅相比，其漂移电阻区的厚度薄了一个数量级，其杂质浓度可为硅的2个数量级，由此，碳化硅的单位面积的阻抗仅为硅的百分之一。另外，碳化硅功率器件可在400℃的高温下正常工作，还可利用体积微小的器件控制很大的电流。
碳化硅具有硬度高、抗高温性能好，热导率高等特点，广泛适用于各种工业领域。几年以前，碳化硅(SiC)还在被人们认为是功率器件的一种可选材料，碳化硅功率器件的卓越动态性能使其成为迈入了工业应用阶段最初的推动力量。
首先商品化的SiC器件是肖特基二极管，据严总介绍，目前，以SiC为材料的肖特基二极管已应用在一些对电压、环境、温度及效率要求相对较高的地方，如PDP电视机、逆变空调、电动车马达驱动等，可明显提高产品效率，改善使用成本。
市场——品质高端、前景光明
碳化硅具有卓越的性能，其适用范围也非常广泛，可以说是理想的半导体材料。然而，正是因为其卓越的性能，使得其制作成本高，和普通硅片相比，SiC材料价格相对较高。价格在某种程度上决定了其应用范围，目前，SiC材料仅用在一些高端产品和需求较高的场合。如何摆脱价格因素带来的应用限制，成为当前最需解决的问题。
针对这一情况，严总给出了答案，由于SiC的良好性能，应用可靠性好，寿命长（至少是50年），可以明显提高产品的效率，降低消耗度，在实际应用上并不会加重客户的成本。只使用普通硅片的1/8至1/10，就可以带来比使用普通硅片更好的效果，因此，只要加深对SiC的了解，正确应用，SiC所发挥的作用会很大。用SiC材料制作的肖特基二极管将越来越多地受到用户的青睐。
谈到SiC肖特基二极管的应用前景，严总非常看好。
当前，环保逐步被提上日程，生产绿色节能电源已成大势所趋，企业为了生产节电产品不断摸索。这时候，SiC肖特基二极管的优点就显现无遗。严总举了一个鲜明的例子，有一家LCD企业，为了使产品达到EPA（美国环境保护署）标准，试用了多种半导体器件，不但价格昂贵，其效果也不尽人意。最终，他们选择了Cree的SiC肖特基二极管，使产品顺利达标。
电动车时代的来临也给SiC肖特基二极管市场带来了契机。如果将电动车马达驱动的二极管替换成SiC肖特基二极管，不但能提高3%的效率（每辆电动车需40K瓦功耗），还可以降低冷却系统的消耗，节省的能源和冷却系统将是一笔不小的财富。
可以说，通过不断的发展，未来15年之内，SIC将成高压半导体的主流。这也对Cree的发展指明了方向。严总谈到， Cree将继续在绿色节能方面进一步去突破SiC的应用。
企业——立足研发 服务全球
成立于1987年的Cree，是全球唯一量产SiC半导体材料的公司，占据了全球SiC基材料90%以上市场和50%以上SiC肖特基二极管市场，。从最初生产LED发展到量产LED、芯片、POWER LED、高频MOS管等多款产品，Cree经历了一次又一次的飞跃。
Cree引领了全球SiC半导体材料及器件的发展，同样，Cree在SiC半导体市场的发展也吸引了众多目光和追随者，但由于尖端技术的限制，使得很多企业不得不放弃这块“蛋糕”。当然，也有部分企业投入了大量人力物力进行研发，并取得了一定的成绩。如TOYOTA，为了大力发展其电力汽车，专门成立部门研发SiC半导体器件。据严总介绍，目前，中国国内有不少企业生产SiC，同样由于技术要求而无法形成单晶像，不能做到半导体等级。因此，他们更多是用于制作人造钻石，用于研磨、切割等其他领域的应用。
随着全球经济的进一步发展，服务方面的竞争成为企业间竞争的又一焦点。作为全球性企业之一，Cree尤其看重技术方面的服务。Cree是一家立足科研，专门研究生产SiC材料及器件的公司，因此，Cree在技术应用方面具备强大的优势。以亚太区为例，Cree在香港科学园建立了两个实验室，一个功率半导体实验室，一个光电实验室。因此，在整个亚太地区，客户从开发到生产的一切疑难，Cree香港实验室都可以提供专业的技术服务。
可以说，从SiC基片到肖特基二极管，从技术、生产到销售、服务，Cree打造了一个完善的产品链，促进其全球市场的拓展和维护。
中国市场——针对特殊领域 加强应用推广
近几年，Cree在全球有针对性的推广功率半导体器件。在中国市场，据严总介绍， Cree在已经有几家代理公司，以深全力电子（深圳）有限公司为主。针对中国的市场需求，Cree将在几个特殊应用领域开始自己的市场，如：要求比较严格、环保的电源；空调、电动汽车、通讯方面用的开关电源；速变电压等。
本刊工作人员与严总及深全力执行董事彭振明先生（居中）合影
Cree是中国市场注入的新鲜血液，虽然踏入中国市场的时间不长，但是Cree已经尝到了收获的喜悦。他们的产品初步得到了一些上规模企业的认可。当然Cree不会满足于这点成绩。对此，严总谈到，Cree将通过召开技术研讨会，新产品发布会等方式，让更多的人知道Cree，了解Cree，引导企业的技术工程师，加深对SiC器件的充分认识，正确应用，从而达到双赢。
目前，SiC器件卓越性能及其发展潜力倍受关注，对于刚刚进入中国市场的Cree来说，同样被寄予了期待和厚望。人们不会拒绝优秀，相信Cree在SiC器件不断取得新的突破，获取更大的应用领域的同时，能给中国半导体应用领域带来新的飞跃！
附：
Cree（纳斯达克交易代码：CREE）创建于1987年，位于美国加利福尼亚洲。研制开发并生产基于碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）及相关化合物的材料与设备。公司的产品包括绿光、蓝光和紫外光LED，近紫外激光、射频和微波半导体设备，电源转换设备和半导体集成芯片。这些产品的目标应用包括固态照明、光学存储、无线基础和电路转换等。2005年，Cree销售额为3.89亿美元，预计2006年将达4.5亿美元，公司大部分利润来自于LED产品和SiC、GaN材料的生产，产品销往北美、欧洲和亚洲。 |
|
