英飞凌推出全球最低通态电阻SSO8无铅封装MOSFET模块

全新的OptiMOS 3系列模块可使工业、消费类和电信应用的功率密度提高50%

    2008年5月23日，英飞凌科技股份公司在中国国际电源展览会上宣布推出采用SuperSO8和S308 （Shrink SuperSO8）封装的40V、60V和80V OptiMOS^™ 3 N沟道MOSFET，在这些击穿电压下可提供无铅封装形式下的全球最低通态电阻。SuperSO8封装与标准TO（晶体管外形）封装相比，可使功率密度增大50%，特别是对于服务器开关模式电源的同步整流应用而言。举例来说，这种采用SuperSO8封装的器件可以只用20%的占位空间提供与D²-Pak封装相同的通态电阻。

    “该无铅结构封装具备较低的封装寄生电阻和电感，最大程度降低了对整个器件性能的影响，便于充分利用OptiMOS 3硅技术功能。”英飞凌电源管理与驱动产品事业部负责人Gerhard Wolf指出。

    全新OptiMOS 3系列可提供出类拔萃的通态电阻，OptiMOS 3 40V系列采用SuperSO8封装具备最低1.8 mW的通态电阻，OptiMOS 3 60V采用SuperSO8封装具备最低2.8 mW的通态电阻，OptiMOS 3 80V采用SuperSO8封装具备最低4.7 mW的通态电阻，与最接近的竞争性产品相比，通态电阻降幅高达50%，为业界树立了新标杆。这些器件的FOM（品质系数，以通态电阻乘以栅极电荷得出）与采用标准TO封装的同类产品相比高出25%，能够更快速实现开关，同时最大程度降低开关损耗和栅极驱动损耗，提高功率密度，降低驱动器散热量。SuperSO8封装寄生电感不到0.5nH，比TO-220封装的5-10nH电感低很多，这进一步提升了器件整体效率，最大程度上减少在开关条件下的振荡现象。SuperSO8封装高度为1mm，R_th-jt （结至顶端的热阻）低于16°K/W，适用于嵌入式系统顶部冷却解决方案或立式安装在3D集成系统里的PCB模块。

    “作为全球功率半导体领域的技术领袖，英飞凌引领超小封装潮流，使通态电阻降低高达50%。”英飞凌电源管理与驱动产品事业部负责人Gerhard Wolf指出，“我们利用在功率半导体制造和封装方面的领先技术，使功率半导体具备一流的效率和开关特性、更高的功率密度以及出色的性价比，从而大大降低系统成本。”

OptiMOS 3 40V、60V、80V：应用与产品详情

    OptiMOS 3 40V、60V和80V产品适用于需要高效率和功率密度的功率转换和管理应用，包括众多产品的SMPS（开关模式电源）、DC/DC转换器和直流电机驱动器等。这些产品包括计算机、家用电器、小型电动车、工业自动化系统、电信设备和电动工具、电动剪草机和风扇等消费类电子设备。

    采用SuperSO8封装的OptiMOS 3可满足多种应用中的快速开关SMPS和DC/DC转换器的需求，譬如AC/DC SMPS中的同步整流器、隔离式DC/DC转换器的主侧开关和次侧开关和非隔离（降压）工业转换器，对于这些应用而言，空间、功率密度和最大效率都是关键要素。该系列具备至PCB的1°K/W热阻、顶部和双侧冷却功能以及100A持续电流额定值，新的OptiMOS 3 MOSFET系列为40V至80V低电阻MOSFET树立了新标杆。该系列还包括业界首款采用S3O8封装的60V和80V击穿电压MOSFET，其占位空间与标准SO8或SuperSO8器件相比减少60%。

    60V和80V SuperSO8器件与采用TO封装的解决方案相比可使服务器SMPS的效率提高0.5%，或与标准解决方案相比，在通态电阻额定值提高20%的条件下，可获得相同的效率。

供货与定价

    全新OptiMOS 3 40V、60V与80V功率MOSFET系列采用SuperSO8和S3O8封装，具有不同的通态电阻额定值。OptiMOS 3 60V系列现已开始批量生产，40V 和 80V器件目前只提供样品。

    在订购量达到万件时，采用SuperSO8封装且通态电阻为2.8 mW的OptiMOS 3 60V单价不超过0.99美元（0.64欧元），采用SuperSO8封装且通态电阻为4.7 mW的OptiMOS 3 80V单价约为1.1美元（0.70欧元）。在同样订购量下，采用S308封装的6.7 mW OptiMOS 3 60V的单价为0.6美元（0.38欧元），而采用封装的12.3 mW OptiMOS 3 80V的单价为0.66美元（0.42欧元）。

    英飞凌将在中国深圳举办的中国国际电源展览会（2008年5月23日至25日）的A101号展台展出采用SuperSO8和S308封装的全新OptiMOS 3功率半导体和其他创新产品。