近日,英飞凌科技股份公司(法兰克福/纽约交易所股票交易代码:IFX)在其位于德国慕尼黑Neubiberg的总部宣布,其研发的第二代用于LTE(Long-Term-Evolution)设备的射频发射器件SMARTi LU已可以向客户提供样片。SMARTi LU作为一颗采用65nm技术CMOS工艺的单芯片射频发射器件,能够全面满足2G/3G/LTE各项射频功能,其配置的DigRF数字接口能够与基带芯片直接连接,以充分达到LTE网络所要求的最高150兆比特每秒的网络传输速率。
与此同时,英飞凌在其久负盛名的3G射频发射芯片系列——SMARTi UE中推出了第三代新产品:SMARTi UEmicro。SMARTi UEmicro为超低端3G终端进行了专门的产品优化,采用该器件后,双波段WCAMA/EDGE终端设备的电子射频器件成本可以降低到6.50美元之下。这与目前市场上现有方案相比,成本上有超过40%的下降。
英飞凌无线通讯事业部副总裁兼射频终端业务部总经理Stefan Wolff先生进一步指出:“通过全球首颗单芯片2G/3G/LTE射频发射器件SMARTi LU的开发成功,英飞凌再次向世人展示了我们在高性能、多模式射频发射器件解决方案领域中所占据的领导地位。英飞凌不仅在LTE射频领域持续保持着技术创新领导者的地位。同时,英飞凌也致力于通过不断减少外围元器件数量和系统成本的降低,以充分满足广大人民群众对超低端3G手机的需求。而这次推出的SMARTiUEmicro正是顺应这一方向开发出的产品,必将为新兴市场全面铺开3G商用化网络提供强有力的支持。”
SMARTi™ LU
SMARTi LU是一颗符合3GPP Rel.7和Rel.8规范、高集成、支持2G/3G/LTE多模式的射频发射器件。这颗芯片在支持四波段GSM/EDGE的同时,还可以同时支持六个3G和LTE波段。在该芯片丰富的功能列表中,包括LTE FDD class 5(下行速率最大可达150兆比特每秒,上行速率最大可达50兆比特每秒)、MIMO Rx diversity(两个下行+一个上行)、HSPA+、HSPA、WCDMA和GSM/GPRS/EDGE。该芯片如此广泛的射频波段支持能力,使其能够极好地与全球HSPA/LTE网络无缝配合。SMARTi LU所采用的符合MIPI DigRF v4标准的数字基带芯片接口,为手机系统设计“全数字化”树立了一个新的里程碑,使得基带芯片设计向进一步集成化、向32nm或更精密半导体技术前进提供了保障。SMARTi LU基于全球主要半导体生产厂商共同遵循的65nm生产工艺,样片和性能测试报告计划在今年巴塞罗那全球无线大会上全面展示。
SMARTi™ UEmicro
SMARTi UEmicro是为配合低端3G手机需求设计的一颗CMOS工艺、单芯片、同时支持2G/3G网络的射频发射器件。该芯片是英飞凌已被市场广泛验证的射频发射器件SMARTi UE的低成本后续产品。通过遵循DigRF v3.09基带芯片通讯接口,该器件在软件和硬件上都达到了先后兼容性。通过减少外接低噪声放大器(LNAs)和采用无接受滤波器的带内射频前端等技术创新,SMARTi UEmicro成为广大超低端3G手机的首选射频器件。SMARTi UEmicro以其无比优异的射频性能,在支持双波段或四波段GSM/EDGE和最多三个WCDMA波段时,达到了系统成本最优化。从2009年二季度开始,客户即可从英飞凌获得SMARTi UEmicro的样片。预计在2009年底,采用该芯片的客户将开始大规模批量生产。
关于英飞凌
总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑战领域——高能效、连通性和安全性提供半导体和系统解决方案。2008财年(截止到9月份),公司实现销售额43亿欧元,在全球拥有约29,100名雇员。英飞凌科技公司的业务遍及全球,在美国苗必达、亚太地区的新加坡和日本东京等地拥有分支机构。英飞凌公司已列入法兰克福股票交易所的DAX指数,并在纽约股票交易所挂牌上市,股票代号:IFX。英飞凌持有全球知名的DRAM内存产品供应商奇梦达77.5%的股份。奇梦搭也已在纽约股票交易市场独立挂牌上市,股票代号:QI。
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英飞凌在中国
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国市场。自1996年在无锡建立第一家企业以来,英飞凌的业务取得非常迅速的增长,在中国拥有近1200多名员工(不包括奇梦达),已经成为英飞凌亚太乃至全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链,并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
编辑:nigel
http:www.cps800.com/news/2009-1/200912010533.html