美国新墨西哥州Los Alamos和Sandia实验室的科学家制造出第一个全无机纳米晶体结构LED。
这个器件将硒化镉(CdSe)纳米晶体与氮化镓(GaN)基光发射区域结合在一起,利用磷将蓝光发射转化为黄光,避免了现在大多数LED效率低的问题。
半导体纳米晶体能提供高量子效率,但是,这项LED技术被一个问题所困扰,那就是无法对纳米晶体进行直接电气连接。解决方法就是将量子点夹在GaN注入层之间,这项计划的领导者Victor Klimov解释道。美国科学家的方法是采用内部层引脚结构,即用一个硒化镉的芯层和一个硫化锌的包层围住纳米晶体。
研究者们生产了很多LED,包括573nm和619nm的发射器,其纳米晶体核的直径为3.6nm和5.2nm。
这个器件将硒化镉(CdSe)纳米晶体与氮化镓(GaN)基光发射区域结合在一起,利用磷将蓝光发射转化为黄光,避免了现在大多数LED效率低的问题。
半导体纳米晶体能提供高量子效率,但是,这项LED技术被一个问题所困扰,那就是无法对纳米晶体进行直接电气连接。解决方法就是将量子点夹在GaN注入层之间,这项计划的领导者Victor Klimov解释道。美国科学家的方法是采用内部层引脚结构,即用一个硒化镉的芯层和一个硫化锌的包层围住纳米晶体。
研究者们生产了很多LED,包括573nm和619nm的发射器,其纳米晶体核的直径为3.6nm和5.2nm。
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本文链接:美国科学家制造出全无机纳米 LED
http:www.cps800.com/news/2005-5/200552792635.html
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