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飞兆高压MOSFET面向PFC电路及AC/DC电源设计

　　飞兆半导体公司日前推出8款新型高压SuperFET MOSFET器件，专为高效的高压、快速电能转换应用而设计，例如，有源功率因数校正(PFC)、照明电子和AC/DC电源系统等。

　　SuperFET技术通过降低RDS(ON)和栅极电荷(Qg)来减小导通损耗及开关损耗。这项技术可降低电压和电流的瞬态转换速度(di/dt、dv/dt)，确保器件能在更高频率下可靠地运行。新的SuperFET系列也具有很高的额定重复性雪崩特性，比同类方案高出一个数量级。栅-源电压最高额定值为±30V (比竞争器件高50%)，使得SuperFET器件具备更高的耐用性，在高压应用时更加可靠。

　　SuperFET技术提供的高可靠性对瞬态的应用是一个特别重要的优势，比如高强度放电(HID)照明镇流器和等离子显示(PDP)电视的供电电源等。SuperFET所提供的低导通损耗对于照明设备制造商尤其重要，因为他们正不断寻求可满足PFC要求的高效设计方案。同样地，一些高端应用如等离子电视的AC/DC电源等亦要求通过高可靠性和高效率来降低其系统成本。举例说，在电源应用中，SuperFET极低的导通阻抗可减少功率损耗，让设计者毋需使用昂贵的冷却系统，并节省设计空间。SuperFET的低门电荷也使得它们易于驱动，以较低的开关损耗来提高效率。

　　飞兆半导体通过提供一套完整的产品，包括PFC控制器、PWM控制器和光隔离放大器等，与先进的SuperFET系列相配合实现总体的系统解决方案。例如，SuperFET可配合飞兆半导体的FAN7527B器件，成为面向镇流器应用具备成本优势的PFC控制器，与FAN4822 ZVS PFC控制器或FAN4810 PFC控制器配合使用，能够增强400W以上设备的性能。

　　先进的SuperFET也可与飞兆半导体新的FAN7380/FAN7382半桥驱动器IC结合使用，显著提高镇流器设计的效率。除了广泛的产品组合外，飞兆半导体还具备覆盖全球的功率设计实验室和在线设计工具，协助设计者实现产品快速推出市场同时降低总成本。这些在线设计工具包括PFC指导教程、电源设计工具套件和FETBench产品选择工具。

　　SuperFET备有多种封装形式，包括TO-220、TO-220F、TO-263 (D2Pak)、TO-247和TO-3P。这些无铅产品能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020B标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。

　　飞兆新款高压SuperFET MOSFET器件有现货供应，交货期为收到订单后12周内。

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