ST高压晶体管技术协助开发更可靠的高能效电源

功率 MOSFET晶体管提高击穿电压和抗雪崩能力，
导通电阻比上一代产品降低30%

    近日，功率半导体技术的世界领导者意法半导体（纽约证券交易所代码：STM）推出全新系列功率MOSFET晶体管，新产品的击穿电压更高，抗涌流能力更强，电能损耗更低，特别适用于设计液晶显示器、电视机和节能灯镇流器等产品的高能效电源。

    STx7N95K3系列为功率MOSFET新增一个950V的击穿电压级别产品，此一新级别的产品特别适用于通过把工作电压提高到400V或更高来降低能耗的系统。与竞争品牌的900V产品相比，意法半导体全新950V功率MOSFET的安全工作面积更大，可靠性更高。高压电源设计人员还可以使用一个 单一950V MOSFET取代双晶体管电路，从而简化电路设计，缩减尺寸，减少元器件数量。

    此外，STx7N95K3系列的额定雪崩电流高于竞争产品，这个优势可确保产品能够承受高于击穿电压的电涌，因为过高的浪涌电流会烧毁器件。新产品的额定雪崩电流为9A，而实力最接近的竞争品牌的900V产品的额定雪崩电流大约只有1A。

    除更强的耐高压能力外，STx7N95K3系列还实现了导通损耗最小化，导通电阻RDS(ON)被降至1.35欧姆以下。新产品的单位芯片面积导通电阻RDS(ON)比前一代MOSFET降低30%，设计人员可以提高功率密度及能效。

    同时，因为达成低栅电荷量(QG)和低本征电容，这些新的MOSFET还能提供优异的开关性能，这个特性让设计人员可以使用更高的开关频率、尺寸更小的元器件，以进一步提高能效和功率密度。

    STx7N95K3 MOSFET实现这些性能优势归功于意法半导体的最新一代SuperMESH3™技术。新产品采用工业标准封装：STF7N95K3采用 TO-220FP封装；STP7N95K3采用标准的TO-220封装；STW7N95K3采用TO-247封装。

    随后将推出的新产品是：950V 的BVDSS STW25N95K3、STP13N95K3、STD5N95K3和 1200V 的BVDSS STP6N120K3。在推出这些产品后，意法半导体还将在2009年推出后续产品，包括850V、950V、1050V和1200V系列产品。

    STx7N95K3系列已投产。

    详情请访问：www.stmicroelectronics.com.cn/pmos.

    关于意法半导体（ST）

    意法半导体是微电子应用领域中开发供应半导体解决方案的世界级主导厂商。硅片与系统技术的完美结合，雄厚的制造实力，广泛的知识产权组合（IP），以及强大的战略合作伙伴关系，使意法半导体在系统级芯片（SoC）技术方面居最前沿地位。在今天实现技术一体化的发展趋势中，意法半导体的产品扮演重要的角色。2008年，公司净收入98.4亿美元，公司股票分别在纽约股票交易所、巴黎Euronext股票交易所和米兰股票交易所上市。详情请访问意法半导体公司网站 www.st.com 或意法半导体中文网站 www.stmicroelectronics.com.cn。■