PCIM 2009：三菱电机携新产品亮相

    三菱电机致力推动环保，将携同一系列新型的HVIGBT模块、第4代DIPIPMTM（双列直插式智能功率模块），及L1系列智能功率模块、和第6代IGBT模块等功率器件，在6月2日至4日于上海光大会展中心举行的PCIM中国展（展位号W2-P209）中亮相，向参观者推介各种应用解决方案。

    HVIGBT模块已经在大功率领域得到广泛应用，比如：轨道牵引和大功率工业驱动。这些大功率应用需要具有优良性能的HVIGBT模块，尤其要求损耗低、额定电流大以及运行结温范围大的特性。

    三菱电机1700V N系列HVIGBT模块采用载流子存储式沟槽型双极晶体管（Carrier Stored Trench-gate Bipolar Transistor，CSTBTTM）功率硅片，获得更好的饱和压降（VCE(sat)）与关断损耗（Eoff）的折衷关系，有效降低了模块的功率损耗。

    3300V R系列HVIGBT模块采用FP-LPT-HVIGBT硅片和软恢复高压二极管硅片的组合，在不牺牲模块的短路鲁棒性前提下，该新型模块的饱和压降与关断损耗折衷特性得到了25%的改善。

    6500V HVIGBT模块，其绝缘耐压高达10.2k V（1分钟交流有效值）。基板材料采用AlSiC，模块的可靠性得到大大提高。

    三菱电机机电（上海）有限公司董事总经理森敏先生说：“在经过金融危机后，中国已成为全球最具潜力的市场，三菱电机这次展示最新研制的产品，在节约能源和生态持续发展方面向前跨进一步，协助构建绿色和谐社会。”

    在节能方面，三菱电机的DIPIPMTM是控制压缩机电流、空调变频器节能的关键元件。模块集成了功率器件及其驱动保护芯片，从而大大减少电力损耗达到节能效果。

    第4代DIPIPMTM有超小型、小型和大型三种大小的封装。超小型3A/600V产品是世界上首次将RC-IGBT搭载于变频用途的IPM，其模块内部的硅片数量减少了一半，加之散热优化的封装结构使得DIPIPMTM的可靠性更高且功率密度更大。大型封装的DIPIPMTM额定值可达75A/600V和35A/1200V，采用了全栅型CSTBTTM硅片、优化的驱动IC以及导热性能优异的绝缘薄膜。不仅能用于柜式变频空调，还可满足工业变频应用，它必将为变频系统的进一步小型化做出卓越的贡献。

    三菱电机应用于家电市场的产品还有DIPPFCTM和DIPPSCTM。DIPPFCTM是完全开关型功率因数校正双列直插智能模块，它的内部集成了二极管整流桥和有源PFC电路，硅片的功率损耗低，封装小型化且热阻低。DIPPSCTM是部分开关型功率因数校正双列直插智能模块，它内置功率因数校正电路及三相逆变电路，内建自举电路且可动态监视模块内部温度。DIPPFCTM和DIPPSCTM均能有效改善家用电器对供电电网的谐波污染。

    DIPIPMTM是变频家电功率转换部分的核心，变频家电以其节能、环保的优点近年来逐步受到市场的亲睐。例如：变频空调比定速空调节电20-30%；变频冰箱比常规冰箱节电50%左右；变频洗衣机比常规洗衣机节电50%左右，在节水方面，变频洗衣机比常规洗衣机节水30-50%左右。

    三菱电机早在10年前已向日本电动汽车行业提供功率半导体。现在，三菱电机的智能功率模块(IPM)具有体积小、开关速度快、功耗低、抗干扰能力强、无须防静电措施等优点，大大缩短了客户项目开发周期。

    第5代L1系列智能功率模块，将硅片温度传感器设置在IGBT硅片正中央处，实现了更加精确迅速的硅片温度检测。该系列IPM采用全栅型CSTBTTM硅片技术，具有比L系列IPM更低的损耗以及更加优化的VCE(sat)与Eoff折衷曲线。

    最新开发的第6代IGBT模块，采用优化载流子存储层的掺杂分布和精细图形工艺的沟槽型IGBT硅片，进一步降低模块的开关和通态损耗。模块内的续流二极管硅片，由于采用薄晶片工艺和扩散技术，这种硅片优化了缓冲层杂质分布和本征层、缓冲层厚度，减小了反向恢复的拖尾电流，并且获得更好的VF和Qrr的折衷关系。

    实验证明新型硅片具有足够宽SCSOA和至少10μs的短路承受时间。第6代IGBT模块的NX系列模块采用第6代硅片，运行结温最高可达175°C。该IGBT模块产品丰富，有1200V和1700V两个电压等级，额定电流从35A到1000A，分别有CIB (Converter Inverter Brake)、七单元、二单元和一单元模块。全系列产品采用同一封装平台从而降低了模块的制造成本，使得NX系列IGBT模块的性价比具有不同寻常的竞争力。■