飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出最小尺寸的互补对称MOSFET器件——FDC6020C，为微型“点”功率应用和负载点(POL) DC/DC开关转换器设计提供高于1A的持续电流。该器件将两个MOSFET集成在一个超小型的SuperSOT-6 FLMP封装(倒装导模封装)中。
FDC6020C具有良好的热性能和高效率特性，适用于机顶盒、数码相机和硬盘驱动器等产品。该器件的低压门限(VGS = 2.5V)可简化采用3.3V总线转换器或单节锂离子电池供电的设计。当没有高门驱动电压时，使用FDC6020C则无需设计充电泵电路。此外，该器件的每一个MOSFET都具有优良的RDS(on)特性(在4.5V时， P沟道为52mΩ，N沟道为27mΩ)。FDC2060C的结点至外壳热阻抗(1℃/W)及结点至周边环境热阻抗(68℃/W)有助于达到最高电流密度，并同时维持最佳工作温度。
FDC6020C采用SuperSOT-6 FLMP封装，其面积仅为9mm2，最大侧高为0.8mm。这种先进的封装形式无须传统的金属线连接，不但提供低电阻抗，而且可以维持所需的关键性机械公差特性，使到晶片反面和封装反面共面。这种共面结构在PCB和MOSFET晶片(漏极连接)之间提供低热阻抗通路。
这种无铅产品能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020D标准要求，并符合将于2005年生效的欧盟标准。FDC6020器件有现货供应，订购1, 000个时每个0.76美元(仅供参考)。交货期为收到订单后8周内。
FDC6020C具有良好的热性能和高效率特性，适用于机顶盒、数码相机和硬盘驱动器等产品。该器件的低压门限(VGS = 2.5V)可简化采用3.3V总线转换器或单节锂离子电池供电的设计。当没有高门驱动电压时，使用FDC6020C则无需设计充电泵电路。此外，该器件的每一个MOSFET都具有优良的RDS(on)特性(在4.5V时， P沟道为52mΩ，N沟道为27mΩ)。FDC2060C的结点至外壳热阻抗(1℃/W)及结点至周边环境热阻抗(68℃/W)有助于达到最高电流密度，并同时维持最佳工作温度。
FDC6020C采用SuperSOT-6 FLMP封装，其面积仅为9mm2，最大侧高为0.8mm。这种先进的封装形式无须传统的金属线连接，不但提供低电阻抗，而且可以维持所需的关键性机械公差特性，使到晶片反面和封装反面共面。这种共面结构在PCB和MOSFET晶片(漏极连接)之间提供低热阻抗通路。
这种无铅产品能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020D标准要求，并符合将于2005年生效的欧盟标准。FDC6020器件有现货供应，订购1, 000个时每个0.76美元(仅供参考)。交货期为收到订单后8周内。
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本文链接：飞兆推出最小尺寸MOSFET器件，持续
http:www.cps800.com/news/2005-1/200517103636.html
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