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三星改进DRAM芯片明年应用于生产

　　全球最大的内存芯片生产商三星电子宣布，已经成功采用70纳米生产工艺制造出第一块DRAM芯片。一旦这种生产工艺广泛应用于该公司的生产线，从同一硅片上生产的芯片数量将会翻倍。　

　　芯片上的晶体管越多，它们之间的距离就越近，芯片性能也将得到提升。对于三星、美光和英飞凌等厂商，开发新技术对于削减成本以及增加销量是至关重要的。　

　　DRAM芯片在线票据交换所宣称，应用最广泛的DRAM芯片的价格今年下跌了1/3，目前每块的价格仅为2.53美元。由于生产商大量的需求，现货市场上的DRAM如同原油和小麦一样火爆。　

　　三星同时预计，与目前DRAM产品生产线采用的90纳米生产工艺相比，采用新的生产技术之后，从相同一块硅片上生产的芯片数量起码要增加1倍。用于生产芯片的硅片大小与盘子相当，每块硅片可以生产出数千块芯片。　

　　三星发言人表示，“我们定于明年下半年将70纳米生产工艺广泛应用到DRAM芯片生产中。”目前，该公司已经将这种工艺用于NAND闪存芯片的生产，但DRAM芯片仍主要采用80和90纳米生产工艺。该公司同时发表声明称，为了突破70纳米生产技术的局限性并改进数据刷新功能，公司仍有必要进行技术革新。　

　　三星是在去年中期开始采用90纳米生产工艺进行DRAM芯片生产的，并从今年下半年开始采用80纳米生产工艺。三星表示，从明年中期开始，将采用70纳米生产工艺，生产容量为512Mb、1Gb以及2Gb的DRAM芯片。

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