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安森美半导体推出业内首个用于VR11电源管理的双缘控制器(图)

NCP5381展示的性能可以实现计算和消费电子应用中性价比更高的电源子系统

　　安森美半导体推出业内首个异步双缘(dual-edge)脉冲宽度调制(PWM)控制器NCP5381。这全新控制器适用于快速瞬流响应和先进电源管理极为关键的应用，如奔腾4处理器主板、VRM模块和图形卡。

　　安森美半导体模拟计算产品总监施宝(Michael Stapleton)表示：“通过使用工作个人电脑主板，安森美半导体推出了符合VR10和VR11性能的双缘NCP5381 PWM控制器。看过现场展示的客户对控制器的印象十分深刻，因为其性能优异，可以方便地集成到现有的主板设计中，且最终可以帮助降低其Vcore核心电压电源管理子系统的总体成本。”

　　电平增高和电流转换更快是长期发展趋势，故CPU电源设计人员面临的主要挑战之一在于特定主板上的CPU电压必须保持稳定，而有源功率要求有波动。NCP5381的设计使电源管理子系统响应用户激活高性能计算功能，对负载瞬流的响应明显比现有业内单缘、锁存、时钟或同步调制产品更快。这让子系统的工作频率更低，而且与现有调制方法相比，保持电容更少、更小。其结果是得到更加紧凑的解决方法，需要更少外部元件，因此比现有解决方法的性价比更高。

　　产品特性

　　* 双缘PWM对瞬变负载快速初始响应
　　* 正在申请专利的动态参考注入(Dynamic Reference Injection)
　　* +0.5%系统电压精确度
　　* 符合VR11的远程温度检测
　　* 与VR10逆向兼容
　　* “无损”差分电感电流检测

　　安森美半导体高级副总裁兼模拟产品部总经理施礼贤 (Larry Sims) 说：“业内已广泛认为CPU功率控制--特别是Vcore核心电压功率控制--的下一步，将需要昂贵的数字控制系统以克服今天同步控制器架构的性能限制。安森美半导体的PWM控制器成功推出后，我们已证明这创新的双缘架构，能够为先进CPU功率控制提供高性能的解决方案，性价比远高于数字或其他模拟平台。”

　　完整的解决方案

　　除NCP5381外，安森美半导体的CPU功率控制4相解决方案还包括四个独立12伏 (V) NCP3418B MOSFET门极驱动器，用于同步降压。这些产品采用SOIC-8和DFN-10无铅封装。八个25 V、单N-沟道MOSFET也是双缘Vcore核心电压子系统解决方案的一部分，包括四个45安培(A)的NTD50N03R MOSFET和四个65 A的NTD65N03R MOSFET。这些器件的RDS(ON)门极电荷以及逆向恢复电荷较小，而且使用无铅DPAK封装。一个驱动器和两个MOSFET用于驱动NCP5381的四个输出相位。

　　供货日期

　　NCP5381MNR2G采用40引脚无铅QFN封装。现备样品供索，计划于2006年第一季度投入生产。更多信息，请发送邮件至Michael.Stapleton@onsemi.com或致电1-602-244-5027与Mike Stapleton联系。

　　NCP5381拓展了安森美半导体现有计算应用中的DDR控制器、通用控制器、MOSFET和分立产品的产品系列。如欲了解更多有关安森美半导体器件的信息，请访问www.onsemi.com.cn。

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