您的位置：电源在线首页>>行业资讯>>新品速递>>东芝新型功率MOSFET 开关特性业界最低正文

东芝新型功率MOSFET 开关特性业界最低

　　东芝日前开发出了导通电阻仅4Ωmm2的功率MOSFET产品“TK15A60S”，导通电阻比原产品降低了约60%。栅-漏极间的寄生电容为27nC，作为功率MOSFET开关特性指标的Ron×Qgd（导通电阻与栅-漏极间寄生电容的乘积）比该公司原产品降低约1/4。Ron×Qgd为“业界最低”（东芝）。主要面向电视机等家电类AC适配器等领域。耐压600V。源-漏极间的额定电流为15A。阈值电压为＋3.0V～＋5.0V。2005年3月23日开始供应样品，计划从4月开始以月产100万个的规模投入量产。　
　　
　　为了降低导通电阻与寄生电容，此次采用了名为“Super Junction结构”的竖型晶体管结构。作为普通的竖型晶体管结构，为了降低导通电阻而提高n型杂质浓度后，耐压便会随之下降。而Super Junction结构的耐压本来就可以设计得很高，即便提高杂质浓度，也能够在不牺牲耐压的情况下降低导通电阻。采用Super Junction结构的功率MOSFET，德国英飞凌科技等欧美厂商已经开始投产。此次，东芝在业界首次采用一项在元件中设计深沟道（deep trench）的沟道技术，形成了Super Junction结构。采用深沟道技术，可以简化Super Junction结构的形成工艺。

   免责声明：本文仅代表作者个人观点，与电源在线网无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实，对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺，请读者仅作参考，并请自行核实相关内容。

关于该条新闻资讯信息已有0条留言，我有如下留言：

请您注意：
·遵守中华人民共和国的各项有关法律法规
·承担一切因您的行为而导致的法律责任
·本网留言板管理人员有权删除其管辖的留言内容
·您在本网的留言内容，本网有权在网站内转载或引用
·参与本留言即表明您已经阅读并接受上述条款

验证码：

用户名： 密码： 匿名留言   免费注册会员