SEMiX™: 新一代 IGBT产品,应用广泛,可升级
在半桥、斩波、6单元的技术领域,SEMiX™ 系列是一种平台式设计,适用于各种功率档的不同尺寸模块,广泛应用于电力电子系统中,特别为中功率和大功率的驱动器、变频器而设计。 SEMiXTM 模块可提供的功率容积密度几乎相当于62-mm 模块的2倍。首先推出3种模块尺寸有:SEMiX™2, SEMiX™3 和6单元SEMiX™33。
SEMiX™ 产品包括600V, 1200V 和1700V IGBT3 trench 技术; 1200V 模块也采用了IGBT3的平面工艺,电流范围为200A ~700A。 所用的续流二极管是一种CAL二极管,具有极高的动态鲁棒性。续流二极管用于快速开关和硬开关。二极管的软恢复功能可在整个温度范围内降低EMC的干扰性。
SEMiX™适用范围广。用于外部驱动时,主要用作标准的插塞式连接器;而用于IPM 的解决方案时,则驱动是模块内部的一个组成部分。逆变器可用一个6单元或单独隔热半桥来设计,大约可减少20%的热阻抗,如温度恒定,则可使负载容量提高15%,或者使芯片温度降低10-15°C,从而提高耐久性。
MiniSKiiP®II, IGBT模块新品,性能改良, 新一代
MiniSKiiP®II 是在选用新型芯片和封装工艺的基础上,对现有产品范围和性能的进一步拓展。新产品包括CIB 模块 (达100A), 和带通讯输入桥式模块的6单元模块 (达 150 A)。
MiniSKiiP®II 在电机整流器、UPS系统和电源系统中作为电源切换装置使用。新的6单元模块尤适用于离心式驱动。MiniSKiiP®II 采用弹簧接触和SKiiP® 技术, 可靠性极高,在恶劣的操作环境中表现尤为突出。在变频器生产中,可用压力接触将MiniSKiiP®II 压接到PCB板上,无需焊接,便捷、可靠。
尺寸更小、功能更强的芯片拓展了MiniSKiiP®II 模块的功率范围。与现有MiniSKiiP®产品相比,新一代模块的外型是为更高电流设计的,因此,用它可以设计制造全功率范围的小尺寸装置。为了完全覆盖小功率范围,尺寸更小的、为600V电压单独设计的新型模块MiniSKiiP® II 0也已推出,并将作为600V Trench IGBT 的特色技术投放市场。新一代 MiniSKiiP® 模块沿用上一代产品的温度传感器。
SEMIPONT®7, 功率高达150 kVA 的无铅二极管和晶闸管整流桥
SEMIPONT® 7 包括SKD 230, SKDH 230, SKDT 230 和 SKUT 230 整流桥。这些产品分别为不可控、半控、全控的三相桥以及三相交流控制器,电流高达230A,耐压高达1800V。
新一代产品依据EU指导方针2002/95/EG引进了无铅设计。以上四类产品均可实现标准外型尺寸30mm高的螺丝连接高度和底座。玻璃钝化晶闸管和二极管芯片,确保了极高的耐压稳定性。
新一代SEMIPONT®7 系列若用于变频器和充电器,可用作输入桥整流器部分;若用于直流电机,可用于场整流器。精简的三相交流控制器可用于软启动交流电机控制、照明控制或加热控制。
SEMITOP® 新一代六单元CIB模块,具有更高的电流密度
新一代SEMITOP® 模块提供了一个新的高效成本解决方案,更高的电流密度可使小功率驱动达到15 kVA。其目标市场是工业和消费市场的一般驱动、伺服驱动、洗衣机、空调设备、电子真空吸尘器和小型电力机车。
逆变-整流-制动(CIB)模块使SEMITOP® 产品的范围和应用得到进一步扩展。新型CIB模块封装在SEMITOP® 3里,包括一个三相输入桥、一个三相逆变器和一个制动斩波器,在80°C 时可达25A/600V。
技术的进步大大提高了设计的灵活性,模块外型尺寸减小了34%,而电流和电压范围仍保持不变。六单元逆变器现在可用于尺寸更小的SEMITOP® 2和SEMITOP® 3封装。SEMITOP® 是一种外型轻巧的六单元模块,带有集成IGBT和续流二极管,可达20 A/ 600 V 、15 A/ 1200 V (温度在80°C时)。MOSFET 6单元配置用于SEMITOP® 2中,可达70 A/ 75 V、60 A/ 100 V。
SEMITOP® 是以SKiiP® 技术为基础的无底板技术,可靠性高,散热性能好,功率循环能力强,使材料的利用达到最优。因此与相同的离散解决方案相比,其外型尺寸要小的多。
赛米控是一个在功率半导体行业具有50多年丰富经验的跨国公司。秉承着“创新”与“服务”的宗旨和理念,赛米控业已成为国际半导体产业富有创造性的领导者和开拓者,其多先进的研制成果业已被引为工业标准。
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http:www.cps800.com/news/2005-6/2005619182351.html
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