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台积电拟进行新一代传感器制造

　　台积电8日宣布，与美商伊士曼柯达(Eastman Kodak)签订技术专利授权合约，取得后者提供的四个晶体管像点架构(4T transistor pixel)及铰接光电二极管像点架构(Pinned photo-diode pixel)等技术专利，进行新一代高阶互补金属氧化半导体影像传感器(CMOS Image Sensor, CIS)的制造。

　　台积电表示，其去年为全球客户生产制造的CIS组件数量，占去年全球CIS总产量的第一位。与伊士曼柯达公司的技术专利授权，可确保所有台积CIS客户在进行新一世代CIS芯片制造时，拥有最具竞争力的平台，以因应数字相机及照相手机等消费型产品的市场快速成长，并可强化台积公司于此领域的领导地位。

　　台积电表示，伊士曼柯达希望借着授权其CIS技术，进一步拓展CIS产品的应用并加速CIS组件的商业化步伐。根据此项合约，伊士曼柯达公司授权台积公司使用其4T 像点架构及铰接光电二极管像点架构等关键的CIS技术专利。这些技术可提升CIS的影像品质、效能及分辨率，使其品质可以与最小尺寸光电荷耦合影像感测组件(Charge-coupled Device, CCD)媲美。

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