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安森美推出高度仅0.5mm的ESD抑制器件(图)

　　安森美半导体(ON Semiconductor)公司推出μESD (微型ESD)双串联高性能微型封装静电放电(ESD)保护二极管。该器件专为电压敏感元件提供双线保护而设计，适于需要最小板面积和低高度的应用，如手机、MP3播放器和便携式游戏系统。

　　安森美半导体小信号部市场营销主管Gary Straker介绍说：“对致力于满足严格的ESD标准的设计人员而言，安森美半导体的μESD双器件提供了替代常用多层可变电阻(MLV)的令人注目的方案。μESD双器件可以在小于两个0402 MLV的板面积内保护两条线路，同时具有多种性能优势，包括钳制电压较低、漏电较少、响应时间较短，且能够承受多次ESD冲击，而在电气性能上无偏移。”

　　这些器件设计采用目前市场上最小的3引脚塑料封装来获取最佳的ESD抑制性能。μESD双串联可在不足一纳秒内钳制30kV ESD瞬流(符合IEC61000-4-2标准)，确保电压敏感元件受到保护。这些器件可将ESD脉冲电压钳制至低于7V，以保护最敏感的系统并减小对电路功能的干扰。

　　μESD双串联系列的另一特性在于采用超小的SOT-723封装。由于其外形尺寸仅为1.2×1.2mm，因此适合于板面积受限的设计。由于此封装的高度仅有0.5mm，设计人员因此能够在不影响功能的同时，实现高度的最小化。这种串联将双线保护集成入一个封装中，可以进一步减小所需的板面积和系统元件数量，从而简化了封装工艺。这些新型ESD保护器件关断状态的漏电电流仅为0.05μA，非常适于手持式产品应用。它们的电容仅为35pF，适于为数据速率高达10Mb/s的数据线提供保护。

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