国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出新款20V DirectFET MOSFET同步降压转换器芯片组——IRF6610和IRF6636。IR表示，这款小型罐式DirectFET MOSFET对性能相当于一对SO-8 MOSFET，但体积却减少了40%，最适用于对尺寸、效率和热性能有重大要求的高频负载点(Point-of-load，简称POL)设计。
IR台湾分公司总经理朱文义表示：“在12V计算机运算系统中，IRF6610和IRF6636芯片组最适用于可支持5V至1V以下输出电压的高密度15A POL转换器。以一个500kHz POL转换器为例，若采用这款芯片组，便能在1.5V下提供15A输出电流，实现大于88%的效率。”
IRF6610的闸电荷(gate charge)低至10nC，可将开关损耗减至最低，实现最佳控制场效应管(FET)功能。IRF6636则是一款多功能的DirectFET功率MOSFET，其导通电阻为4.5mΩ，闸电荷低至18nC。它可耦合IRF6610，成为专门针对15A应用的同步场效应管；又可配合IRF6691组成控制场效应管，适用于每相位35A的多相位应用。IRF6636/IRF6691芯片能在POL模块等应用中提供更高密度，取代多达4个热强化型SO-8 MOSFET器件。
该公司表示，IR的专利DirectFET MOSFET封装包含了一系列新的设计优点，这是目前标准的塑料分立封装所不具备的。其中，金属罐状结构可提供双面冷却，将驱动先进微处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力提高1倍。此外，DirectFET封装内的器件均符合“电子产品有害物质限制指令”(RoHS)。
IR台湾分公司总经理朱文义表示：“在12V计算机运算系统中，IRF6610和IRF6636芯片组最适用于可支持5V至1V以下输出电压的高密度15A POL转换器。以一个500kHz POL转换器为例，若采用这款芯片组，便能在1.5V下提供15A输出电流，实现大于88%的效率。”
IRF6610的闸电荷(gate charge)低至10nC，可将开关损耗减至最低，实现最佳控制场效应管(FET)功能。IRF6636则是一款多功能的DirectFET功率MOSFET，其导通电阻为4.5mΩ，闸电荷低至18nC。它可耦合IRF6610，成为专门针对15A应用的同步场效应管；又可配合IRF6691组成控制场效应管，适用于每相位35A的多相位应用。IRF6636/IRF6691芯片能在POL模块等应用中提供更高密度，取代多达4个热强化型SO-8 MOSFET器件。
该公司表示，IR的专利DirectFET MOSFET封装包含了一系列新的设计优点，这是目前标准的塑料分立封装所不具备的。其中，金属罐状结构可提供双面冷却，将驱动先进微处理器的高频DC-DC降压转换器的电流处理能力提高1倍。此外，DirectFET封装内的器件均符合“电子产品有害物质限制指令”(RoHS)。
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本文链接：国际整流器公司推出新款20V Dire
http:www.cps800.com/news/2005-8/20058129340.html
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