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飞兆半导体推出低压30/40V MOSFET产品系列

　　飞兆半导体公司推出11种新型器件，扩充了其AEC-Q101认证的30V和40V MOSFET产品系列。这些低压PowerTrench®MOSFET专为优化汽车应用的效率、性能和线路板空间而设计，其应用包括动力转向、集成启动器/交流发电机，以及电机和螺线管驱动器设计等。

　　飞兆半导体的30/40V MOSFET是要求高电流密度和低功耗系统的理想选择，并根据汽车市场的最新发展趋势，从机械方式进展为机电方式。飞兆公半导体的30/40V MOSFET的RDS(on)低至2.0m Ohms，是业界导通电阻最低的器件之一。除了性能方面的改善，这些器件还可节省线路板空间，因为一个飞兆半导体的低RDS(on) MOSFET可替代两个在这些设计中传统使用较高RDS(on)的MOSFET。而且，这些MOSFET能满足UIS要求并达到严格的AEC-Q101汽车标准，可在严酷的电气环境中提供高可靠性以保证其“坚固性”。

　　新型30V MOSFET如2.3m Ohm FDB8860 器件，提供的导通电阻仅为55V或60V MOSFET的一半，因此能降低功耗至高压器件的二分之一，效率更高，热量的产生更少。

　　这些无铅器件能达到甚至超越IPC/JEDEC的J-STD-020C标准要求，并符合现已生效的欧盟标准。

　　供货:　现货

　　交货期: 收到订单后4至12周内

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