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英飞凌新一代MOSFET节能器件推出

2006/11/10 9:35:57   电源在线网
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  英飞凌科技股份公司日前在2006年全球电源系统展会(Power Systems World 2006)上,发布应用于计算机、电信设备和消费电子产品的直流/直流变换器的新一代功率半导体产品家族。全新的OptiMOS® 3 30V N沟道MOSFET家族可使标准电源产品的可靠性和能源效率提高1%至1.3%,并在导通电阻、功率密度和门极电荷等主要功率转换指标上达到业界领先水平。

  作为全球功率半导体领先厂商,(IMS Research市场研究公司,2006年9月),英飞凌设计出了专门用于提高低压电源转换器性能的OptiMOS3产品家族。该产品家族与前一代产品相比,通常可使能源效率提高1%至1.3%。这种提升幅度看似不大,但从技术的角度讲是很难实现的,它可以实现很大的节能量。如果全球1,200W服务器供电系统的能效都提高1%,全年即可节省约360兆瓦的电量,相当于一个传统发电厂的发电量。

  OptiMOS3产品家族能帮助电源设计者实现未来系统设计的功率要求,而且有助于节能,提升能效,改善开关特性,提高功率密度,增强可靠性,提高电源解决方案的性能和能效,降低成本。

  借助OptiMOS3的出色特性,电源制造商只需利用较少的器件,即可获得理想性能,使直流/直流转换器通常所需的MOSFET数量降低33%。英飞凌还为该器件采用了全新的高性能Shrink SuperSO8(S3O8) 3mm X 3mm 封装,这将使转换器系统设计中所需的MOSFET板载空间减小60%。

  除了可开发小型直流/直流转换器之外,OptiMOS3器件还可用于提高给定标准尺寸的电源的输出功率。此外,OptiMOS3还可延长笔记本电池的使用寿命,降低服务器和电信系统的能耗。

  与业界领先的OptiMOS 2相比,全新的OptiMOS 3 在多个方面都实现了重大改进,包括导通电阻降低30%,优值系数提高30%,同时与OptiMOS 2相比封装(S308)尺寸减小了60%的情况下仍然可以提供类似的性能。
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编辑:Sepnova
本文链接:英飞凌新一代MOSFET节能器件推出
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文章标签: 英飞凌/MOSFET/节能
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