飞兆半导体公司日前推出全新的FOD0708(单信道)和FOD0738(双信道)15MBd光耦合器,提供业界最高的额定共模噪声抑制(CMR),同时具有工业控制应用所需的高带宽(每秒15Mbit)及低功耗等特性。与开集电极双极性晶体管等效解决方案不同,这些光耦合器具有推拉式检测器,毋需上拉式电阻,因此也省掉了这部分的电流功耗。
FOD07X8产品系列的电子特性已作出保证,超出全工业温度范围(摄氏-40度到+100度)。它们的性能使器件非常适合与微处理器、外设I/O和其它高速应用接口,同时是Profibus、Fieldbus、DeviceNet和SDS等工业网络的理想选择。
这些光耦合器的高速LED和高速光电检测器采用飞兆半导体专利的0.8μm CMOS技术。与典型的面对面光耦合器/LED组合比较,FOD07X8器件在检测器芯片上使用了并排的光平面(Optoplanar)配置以及集成的专用硅片设计。因此,当使用2KV(峰值)脉冲激励时,封装电容使到这些光耦合器具备出色的50KV/μs共模抗扰性。这些器件采用紧凑的S0-8封装,其中双信道FOD0738并提供最佳的安装密度,这些器件还具有2500VRMS的额定隔离电压,以及凭高度可靠性获得UL认证。
FOD0708和FOD0738均为无铅产品,能达到甚至超越联合IPC/JEDEC的J-STD-020B标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。
FOD07X8产品系列的电子特性已作出保证,超出全工业温度范围(摄氏-40度到+100度)。它们的性能使器件非常适合与微处理器、外设I/O和其它高速应用接口,同时是Profibus、Fieldbus、DeviceNet和SDS等工业网络的理想选择。
这些光耦合器的高速LED和高速光电检测器采用飞兆半导体专利的0.8μm CMOS技术。与典型的面对面光耦合器/LED组合比较,FOD07X8器件在检测器芯片上使用了并排的光平面(Optoplanar)配置以及集成的专用硅片设计。因此,当使用2KV(峰值)脉冲激励时,封装电容使到这些光耦合器具备出色的50KV/μs共模抗扰性。这些器件采用紧凑的S0-8封装,其中双信道FOD0738并提供最佳的安装密度,这些器件还具有2500VRMS的额定隔离电压,以及凭高度可靠性获得UL认证。
FOD0708和FOD0738均为无铅产品,能达到甚至超越联合IPC/JEDEC的J-STD-020B标准要求,并符合现已生效的欧盟标准。
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来源:电子工程专辑
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http:www.cps800.com/news/2006-2/20062209821.html
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