意法半导体日前发布先进的双端控制器：L6599，新控制器专为串联共振半桥拓扑结构设计。丰富的功能、灵活的设计，使其实现了卓越的性能，可用于设计完全受保护的、高可靠性电源，这些电源特别适用于LCD、PDP电视、笔记本电脑与游戏控制台所需的高端AC/DC适配器、80+自适应ATX银盒、服务器与电信SMPS等应用。
相对于L6598，新的L6599添加的特性包括：用于直接连接PFC(功率因数校正器)的专用输出、两级过电流保护(OCP)、锁存禁用输入、轻负载的突发模式操作、输入上电/断电次序及低压保护。
该器件具有50%互补占空比及嵌入的固定停滞时间，确保了软启动转换。支持高效、低电磁干扰辐射的高频运作(最高500kHz)。为了以自举方式驱动高端开关，新器件集成高压浮动构造，可以经受超过600V的电压。采用同步驱动高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)，因而无需外部快速恢复阴极负载二极管。
L6599提供了门驱动器具备的典型0.6A源电流与1.2A吸收电流的峰值电流特性，并支持设计人员通过外部可编程振荡器设置工作频率范围。
非线性软启动防止突入电流并最小化输出电压过冲。器件具有受控的突发模式运作，因此显著的降低了平均开关频率及轻负载或空载条件下的相关损耗。
利用新的共振控制器，设计师可以满足能量节省的需求，即使是在功率因数校正系统中。专用的输出令该IC电路在突发模式中可关断功率因数校正器的前置调节器，因此消除了该阶段的无负载损耗。
L6599的其他主要特性包括：小于30mW的低功耗、歪斜率50V/ns下确保的无闭锁效应、非锁存禁止输入、高性能过电流保护，可提供针对过载及短路现象的完整保护。此外，附加的锁存禁止输入可轻松实现过温和/或过压保护(OVP)。
L6599以三种版本供应：L6599N，采用PDIP16封装；L6599D与L6599DTR，采用SO16N封装。现已投入生产，器件起价为$1.20(25000片起)。
相对于L6598，新的L6599添加的特性包括：用于直接连接PFC(功率因数校正器)的专用输出、两级过电流保护(OCP)、锁存禁用输入、轻负载的突发模式操作、输入上电/断电次序及低压保护。
该器件具有50%互补占空比及嵌入的固定停滞时间，确保了软启动转换。支持高效、低电磁干扰辐射的高频运作(最高500kHz)。为了以自举方式驱动高端开关，新器件集成高压浮动构造，可以经受超过600V的电压。采用同步驱动高压横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)，因而无需外部快速恢复阴极负载二极管。
L6599提供了门驱动器具备的典型0.6A源电流与1.2A吸收电流的峰值电流特性，并支持设计人员通过外部可编程振荡器设置工作频率范围。
非线性软启动防止突入电流并最小化输出电压过冲。器件具有受控的突发模式运作，因此显著的降低了平均开关频率及轻负载或空载条件下的相关损耗。
利用新的共振控制器，设计师可以满足能量节省的需求，即使是在功率因数校正系统中。专用的输出令该IC电路在突发模式中可关断功率因数校正器的前置调节器，因此消除了该阶段的无负载损耗。
L6599的其他主要特性包括：小于30mW的低功耗、歪斜率50V/ns下确保的无闭锁效应、非锁存禁止输入、高性能过电流保护，可提供针对过载及短路现象的完整保护。此外，附加的锁存禁止输入可轻松实现过温和/或过压保护(OVP)。
L6599以三种版本供应：L6599N，采用PDIP16封装；L6599D与L6599DTR，采用SO16N封装。现已投入生产，器件起价为$1.20(25000片起)。
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本文链接：ST发布双端控制器用于高性能电源设计(
http:www.cps800.com/news/2006-6/200662793515.html
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