Zetex Semiconductors日前推出ZXM N/P 7系列沟道MOSFET，提供D类输出级所需的高效率、良好的散热效果及音频复制功能。这些N及P信道器件的额定电压为70V，设有SOT223和DPAK封装，能在平面电视、5.1环回立体声系统等功率更高的音频应用中实现安全可靠的操作。各款器件皆可适配采用互补性或全N信道MOSFET配置的单端及桥接式负载输出级。
据介绍，ZXM N/P 7系列MOSFET具有更高的漏源电压，相比于60V零件，能为设计人员提供额外空间，适应电源与门振铃的大幅变化。器件的导通电阻甚低，在10V电压下N、P信道器件的导通电阻一般分别只有130mΩ和160mΩ，因此可以经常保持低损耗，达到高效率操作和理想的散热效果。
该系列MOSFET把低导通电阻RDS(on)与快速切换及低闸电荷特性相结合，有助优化输出级效率，在设计完备的电路中效率可达90%以上。这些N信道和P信道器件，在10V操作环境中的关断时间和闸漏极电荷分别为17ns/1.8nC及35ns/3.6nC。
此外，新型MOSFET能妥善处理高漏极电流，在单独的场效应管操作中体现最大功率。由于它们对闸驱动的要求较低，因此可在需要更高负载功率的应用中，把场效应管并行设置。N信道器件采用SOT223和DPAK封装时的最大漏极电流分别为3.8和6.1安培，P信道则分别为3.7和5.7安培。
据介绍，ZXM N/P 7系列MOSFET具有更高的漏源电压，相比于60V零件，能为设计人员提供额外空间，适应电源与门振铃的大幅变化。器件的导通电阻甚低，在10V电压下N、P信道器件的导通电阻一般分别只有130mΩ和160mΩ，因此可以经常保持低损耗，达到高效率操作和理想的散热效果。
该系列MOSFET把低导通电阻RDS(on)与快速切换及低闸电荷特性相结合，有助优化输出级效率，在设计完备的电路中效率可达90%以上。这些N信道和P信道器件，在10V操作环境中的关断时间和闸漏极电荷分别为17ns/1.8nC及35ns/3.6nC。
此外，新型MOSFET能妥善处理高漏极电流，在单独的场效应管操作中体现最大功率。由于它们对闸驱动的要求较低，因此可在需要更高负载功率的应用中，把场效应管并行设置。N信道器件采用SOT223和DPAK封装时的最大漏极电流分别为3.8和6.1安培，P信道则分别为3.7和5.7安培。
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本文链接：Zetex日前推出ZXM N/
http:www.cps800.com/news/2006-7/20067494931.html
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