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安森美推出18款新功率MOSFET计算器件

功率MOSFET优化直流-直流转换并降低CPU/GPU 供电、直流－直流转换器及高低端转换中的临界电流水平功耗

　　2006年8月15日——全球领先的电源管理解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出18款优化直流－直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电，直流－直流转换及高低端开关，如台式机、笔记本电脑和服务器中。

　　这些新型的30伏(V)，35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小，降低导电和开关损耗，使电源效率更高。

　　安森美半导体PowerFET部副总裁David Garafano说:“为了帮助我们的客户满足特定应用的需要，安森美半导体一直在拓展PowerFET产品系列，以提供业内品种最多的MOSFET。因为安森美半导体有多种生产这些新型MOSFET器件的制造资源，所以我们可以有效地处理突发的需求变化并进一步确保准时供货。”

器件
其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装，而每10,000片的批量预算单价在0.40至0.87美元之间。

器件　　　　　　　　 VDS　　 　　 ID 　　　　 Rdson @ 10 V　　　　　　 Qg (典型)
NTD4804N 　　　　　30 V　　　　117 A　　　 4 mΩ　　　　　　　　　　30 nC
NTD4805N 　　　　　30 V　　　　88 A　　　　5 mΩ　　　　　　　　　　20.5 nC
NTD4806N 　　　　　30 V　　　　76 A　　　　6 mΩ　　　　　　　　　　15 nC
NTD4808N 　　　　　30 V　　　　63 A　　　　8 mΩ　　　　　　　　　　11.3 nC
NTD4809N 　　　　　30 V　　　　58 A　　　　9 mΩ　　　　　　　　　　10.7 nC
NTD4810N 　　　　　30 V　　　　54 A　　　　10 mΩ　　　　　　　　　　9 nC
NTD4813N 　　　　　30 V　　　　40 A　　　　13 mΩ　　　　　　　　　　6.9 nC
NTD4815N 　　　　　30 V　　　　35 A　　　　15 mΩ　　　　　　　　　　6 nC

　　其他10 款新型功率MOSFET 器件采用SO-8平引脚封装- 带外露引脚框于背面使散热更佳。这些器件的每10,000片的批量预算单价在0.71至0.91美元之间。
　
　　　
器件　　　　　　　　 VDS　　 　 ID 　　　　　 Rdson @ 10 V　 　　　Qg (典型)
NTMFS4833N 　　　　　30 V　　　　191 A　　　　2 mΩ　　　　　　　　39 nC
NTMFS4834N 　　　　　30 V　　　　130 A　　　　3 mΩ　　　　　　　　33 nC
NTMFS4835N 　　　　　30 V　　　　104 A　　　　3.5 mΩ　　　　　　　25 nC
NTMFS4836N 　　　　　30 V　　　　90 A　　　　 4 mΩ　　　　　　　　19.1 nC
NTMFS4837N 　　　　　30 V　　　　74 A　　　　 5 mΩ　　　　　　　　14.2 nC
NTMFS4839N 　　　　　30 V　　　　66 A　　　　 6 mΩ　　　　　　　　12 nC
NTMFS4841N 　　　　　30 V　　　　57 A　　　　 7 mΩ　　　　　　　　11.9 nC
NTMFS4741N 　　　　　30 V　　　　67 A　　　　 8 mΩ　　　　　　　　15 nC　　
NTMFS4744N 　　　　　30 V　　　　53 A　　　　 10 mΩ　　　　　　　 10 nC
NTMFS4747N 　　　　　30 V　　　　44 A　　　　 13 mΩ　　　　　　　 12 nC

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  来源：安森美

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