电流处理和热量管理问题正制约着LED性能的发展，但SemiLEDs公司声称其垂直金属衬底LED（VLEDMS）可解决这些问题。
VLEDMS以合金衬底为特色，采用低成本、批量生产工艺和新型垂直设计，在350 mA下光效为75 流明/W 。芯片垂直结构使器件内的电流分布得以改进，即使芯片尺寸放大但性能不变，并避开降低效率的半透明导电膜的使用。另外，由于铜合金衬底具有较高的热传导性，使得VLEDMS与常规倒装LED芯片相比散热更高效，从而增大了最大工作电流和输出功率。
SemiLEDs公司使用外延沉积技术（专利申请中），在兰宝石衬底上沉积附加层以便日后的剥离。待在合金基板上生长完LED后，对N型GaN表面进行图案处理以减少全反射所造成的损失。公司目前已制备出蓝、绿LED芯片。
因采用垂直电流路径和更大的接触面积，VLEDMS的I-V特性出众，在350 mA下，其正向电压值比传统LED低0.2V，动态电阻为0.7 Ω也小于传统LED的1.1 Ω ，其亮度随注入电流加大而增长的趋势也更显著。传统LED芯片的增长峰值在1000 mA左右，之后虽然电流增大，其亮度却明显下降，这是由于散热不足导致的器件退化。而VLEDMS的输出功率在3000 mA甚至更高电流下却还未达到饱和。
传统兰宝石LED性能随芯片尺寸加大而显著下降的现象也不会出现在VLEDMS身上。SemiLEDs制造了一系列大小不一的芯片以测量其单位面积的输出。
在 350 mA和700 mA下，当周围温度上升到 65 °C、芯片结温高达120 °C时，白光LED的光效大于75 lm/W ，经历2千小时的老化测试后，其光输出的改变量仍低于10%；而在平常的室温下，并未观察到光输出损失。
VLEDMS以合金衬底为特色，采用低成本、批量生产工艺和新型垂直设计，在350 mA下光效为75 流明/W 。芯片垂直结构使器件内的电流分布得以改进，即使芯片尺寸放大但性能不变，并避开降低效率的半透明导电膜的使用。另外，由于铜合金衬底具有较高的热传导性，使得VLEDMS与常规倒装LED芯片相比散热更高效，从而增大了最大工作电流和输出功率。
SemiLEDs公司使用外延沉积技术（专利申请中），在兰宝石衬底上沉积附加层以便日后的剥离。待在合金基板上生长完LED后，对N型GaN表面进行图案处理以减少全反射所造成的损失。公司目前已制备出蓝、绿LED芯片。
因采用垂直电流路径和更大的接触面积，VLEDMS的I-V特性出众，在350 mA下，其正向电压值比传统LED低0.2V，动态电阻为0.7 Ω也小于传统LED的1.1 Ω ，其亮度随注入电流加大而增长的趋势也更显著。传统LED芯片的增长峰值在1000 mA左右，之后虽然电流增大，其亮度却明显下降，这是由于散热不足导致的器件退化。而VLEDMS的输出功率在3000 mA甚至更高电流下却还未达到饱和。
传统兰宝石LED性能随芯片尺寸加大而显著下降的现象也不会出现在VLEDMS身上。SemiLEDs制造了一系列大小不一的芯片以测量其单位面积的输出。
在 350 mA和700 mA下，当周围温度上升到 65 °C、芯片结温高达120 °C时，白光LED的光效大于75 lm/W ，经历2千小时的老化测试后，其光输出的改变量仍低于10%；而在平常的室温下，并未观察到光输出损失。
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来源：中国半导体照明
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本文链接：VLEDMS打破LED电流处理和热量管
http:www.cps800.com/news/2006-9/200692710749.html
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文章标签： LED/VLEDMS
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