美国英特尔2006年9月25日在“英特尔开发商论坛（IDF）”（2006年9月26日～28日，美国旧金山）面向记者召开的会前说明会上，介绍了该公司的研发情况及部分研发成果。其中，介绍时间最长的是9月18日刚刚发表的混合型硅激光技术的细节。
此次，英特尔在介绍混合型硅激光元件时强调了以下几点：（1）在InP底板上形成的AlGaInAs发光层与Si导波路粘合时无需校准位置；（2）凭借“倏逝波耦合”现象从发光层向硅导波路传输光线；（3）可轻松集成在英特尔构想的“万亿次计算（Terascale Computing）”系统上，等等。
不需要校准位置是因为该元件像“墙壁照明”一样使用发光层。因此，即使将具有不同振荡波的多束激光聚集在1枚芯片上时，也无需改变发光层及InP底板的组成及形状，可直接使用。不过与墙壁照明不同是，整个发光层实际上并不发光。而是采用在发光层与硅导波路粘合后，只有封装电极的地方发光的设计。在发光层与硅导波路粘合时，使用名为“glass-glue”的离子状薄型氧化膜。通过采用该方法，无需使用在具有不同晶格常数的结晶间实现复杂结晶成长的技术即可粘合。
“原有光互连技术的成本要远远高于电气传输。其中大部分成本由封装时需要校准位置而产生。而此次的技术则具有可实现高集成度和低成本的优点，”英特尔通信技术实验室负责人、高级研究员凯文·康（Kevin Kahn）。
（2）倏逝波耦合是一种采用不向远方传播的光来接受能量的方法。如果采用这一方法，振荡波长将取决于硅导光线路的设计，而不是InP中的能带隙。
英特尔打算将该技术应用于为1枚芯片即可实现1TFLOPS运算速度而配备超高速LSI的板卡间的连接。通过利用25种不同的波长收发以40Gbps变频的光信号，即可实现1Tbps的数据传输速度。“目标是该技术在4～5年后达到实用水平”凯文·康说道。（野泽 哲生）
此次，英特尔在介绍混合型硅激光元件时强调了以下几点：（1）在InP底板上形成的AlGaInAs发光层与Si导波路粘合时无需校准位置；（2）凭借“倏逝波耦合”现象从发光层向硅导波路传输光线；（3）可轻松集成在英特尔构想的“万亿次计算（Terascale Computing）”系统上，等等。
不需要校准位置是因为该元件像“墙壁照明”一样使用发光层。因此，即使将具有不同振荡波的多束激光聚集在1枚芯片上时，也无需改变发光层及InP底板的组成及形状，可直接使用。不过与墙壁照明不同是，整个发光层实际上并不发光。而是采用在发光层与硅导波路粘合后，只有封装电极的地方发光的设计。在发光层与硅导波路粘合时，使用名为“glass-glue”的离子状薄型氧化膜。通过采用该方法，无需使用在具有不同晶格常数的结晶间实现复杂结晶成长的技术即可粘合。
“原有光互连技术的成本要远远高于电气传输。其中大部分成本由封装时需要校准位置而产生。而此次的技术则具有可实现高集成度和低成本的优点，”英特尔通信技术实验室负责人、高级研究员凯文·康（Kevin Kahn）。
（2）倏逝波耦合是一种采用不向远方传播的光来接受能量的方法。如果采用这一方法，振荡波长将取决于硅导光线路的设计，而不是InP中的能带隙。
英特尔打算将该技术应用于为1枚芯片即可实现1TFLOPS运算速度而配备超高速LSI的板卡间的连接。通过利用25种不同的波长收发以40Gbps变频的光信号，即可实现1Tbps的数据传输速度。“目标是该技术在4～5年后达到实用水平”凯文·康说道。（野泽 哲生）
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来源：日经BP
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本文链接：IDF2006：英特尔硅光子大幅降低光
http:www.cps800.com/news/2006-9/20069289288.html
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文章标签： 英特尔硅光子
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