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安森美半导体推出更小占位空间和更低高度功率MOSFET(图)

　　安森美半导体为空间受限的便携式电子应用推出新SOT-723封装功率MOSFET,新款1.2 mm x 1.2 mm大小的NTK313xx系列提供类同现有便携式电子应用中的SC-89封装MOSFET的性能表现，但带来44%更小占位空间和38%更低高度

　　安森美半导体（ON Semiconductor）日前推出采用小型SOT-723封装，特别为空间受限的便携式应用优化的新一代功率MOSFET，这些新低临界值功率MOSFET采用安森美半导体领先业内的Trench技术来取得能够和SC-89或SC-75等大上许多封装MOSFET器件匹敌的电气和功率性能表现。

　　NTK3134N是一款20 V, 890 mA的N通道MOSFET，NTK3139P则是-20 V, -780 mA的P通道MOSFET，两款器件在高于200 mA工作电流下的低导通电阻RDS(on)以及1.5 V的低门极电压让它们可以通过电源管理ASIC或其他控制器直接控制。

　　NTK313xx器件相当适合负载或电源转换应用和小信号接口切换，内置静电放电(ESD)保护，这些器件把特殊处理和封装工序需求减到最低。SOT-723封装的1.2 mm x 1.2 mm占位面积比起提供相似性能，采用SC-89或SC-75封装的MOSFET节省了44%的电路板空间，拥有0.5 mm的低垂直间隙，这些新SOT-723封装MOSFET能满足新一代超薄手持便携式设备的需求。

　　目前两款器件都已批量生产并供货，每10,000片的预算批量单价为0.13美元。

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编辑：news

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