IR授权英飞凌科技使用DirectFET封装技术

    英飞凌科技股份有限公司（FSE/NYSE：IFX）与国际整流器公司IR®（NYSE：IRF）宣布，英飞凌获得国际整流器公司DirectFET®的授权许可，获准使用享有专利的先进功率封装技术。

    DirectFET功率封装技术适用于计算机、笔记本、通信设备和消费类电子产品中的交流-直流以及直流-直流电源转换器件，是业界一流的表面贴功率MOSFET封装技术，在SO-8封装尺寸或更小尺寸上进行顶部冷却非常有效。较之标准分立塑封，DirectFET的“金属帽”结构可实现双面冷却，将高频直流-直流降压转换器的电流处理能力提升一倍。

    英飞凌将在OptiMOS® 2和OptiMOS 3芯片上采用DirectFET功率封装技术，并有望在2008年初开始供应采用DirectFET封装的OptiMOS 2产品样品。

    国际整流器公司商用功率产品事业部副总裁Tim Phillips表示：“国际整流器公司的DirectFET封装工艺采用独具特色的双面冷却设计，是应用于计算机、消费电子和通讯产品的电子器件降低功耗、减小尺寸的首选解决方案。我们将不断开发尖端的节能工艺并通过签订许可协议，扩大DirectFET等创新工艺带来的节能影响，同时进一步增大我们在商用功率转换器这个最大的功率管理细分市场的份额。”

    英飞凌科技高级副总裁兼功率管理与驱动产品事业部总经理Arunjai Mittal补充说：“通过签署该技术许可协议，英飞凌可继续壮大其功率半导体产品阵容。我们将成熟的OptiMOS芯片技术与适用于不同应用的各种封装工艺结合起来，可使电源设计者针对特定产品设计出能效和成本效率更高的解决方案。OptiMOS 2和OptiMOS 3芯片出色的性能配以双面冷却的封装技术，将进一步巩固英飞凌在功能转换市场的地位。”