我要找:  
您的位置:电源在线首页>>行业资讯>>企业动态>>三垦电气推出使用硅底板的GaN功率器件正文

三垦电气推出使用硅底板的GaN功率器件

2008/10/6 11:36:03   电源在线网
分享到:

  三垦电气开发成功了使用硅底板的肖特基二极管(SBD)和常闭型的FET(场效应晶体管),并确认可在电源电路上正常工作。而且还使用这两个元件,驱动了功率因数校正器(PFC)。

  GaN作为性能优良的新一代功率半导体,与SiC元件同样备受关注。GaN的绝缘破坏电场大约比硅大1位数。因此,有望同时实现高耐压和低导通电阻。耐压方面,FET和SBD均为800V。

  由于导通电阻小,因此用于电源电路的话,可减小电力损失。FET的导通电阻仅为3mΩcm2。为硅制MOSFET的1/50。配备在TO-3PF封装上时,耐压相同的情况下,导通电阻可降至10mΩ以下。另外,GaN与硅相比导热率高并且散热性良好,因此有望实现冷却装置的小型化。

  备受期待的GaN元件在电源电路上的应用还存在诸多课题。首先,在GaN元件的制造过程中使用的GaN底板价格昂贵,难以实现GaN元件的低成本化。因此,三垦电气为降低成本,不在GaN底板上,而是在硅底板上制造GaN元件。虽然在硅底板上制备GaN结晶还比较困难,但该公司通过自主开发的成长技术和新元件构造,试制出了GaN元件。

  另外FET方面,在不加载栅极电压的情况下,难以实现电流不流动的常闭型。当停止电源电路的工作时,为不使电路带电,需要进行常闭操作。因此,通过改进元件构造,实现了阈值电压+1V的常闭型FET。

  实现GaN元件的产品化尚未决定。今后,目标为用于消费类设备、产业设备的逆变器、UPS、直流电源装置、电动汽车以及混合动力车等,计划通过提高GaN元件的性能和开发应用技术来实现其产品化。

  另外,三垦电气计划在“CEATEC JAPAN 2008”(2008年9月30日~10月4日,幕张Messe)上,展出此次的开发产品。

   免责声明:本文仅代表作者个人观点,与电源在线网无关。其原创性以及文中陈述文字和内容未经本站证实,对本文以及其中全部或者部分内容、文字的真实性、完整性、及时性本站不作任何保证或承诺,请读者仅作参考,并请自行核实相关内容。
编辑:ronvy
本文链接:三垦电气推出使用硅底板的GaN功率器件
http:www.cps800.com/news/2008-10/200810611363.html
  投稿热线 0755-82905460    邮箱  :news@cps800.com
关于该条新闻资讯信息已有0条留言,我有如下留言:
请您注意:
·遵守中华人民共和国的各项有关法律法规
·承担一切因您的行为而导致的法律责任
·本网留言板管理人员有权删除其管辖的留言内容
·您在本网的留言内容,本网有权在网站内转载或引用
·参与本留言即表明您已经阅读并接受上述条款
用户名: 密码: 匿名留言   免费注册会员
关键字:
        
按时间:
关闭