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三垦电气演示基于GaN元器件的电源电路

2008/10/8 8:24:09   电源在线网
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  三垦电气实际演示了配备该公司试制的GaN元器件的电源电路。与利用原来的Si元器件时相比,功率转换效率有所提高。实际演示有由功率因数校正电路(PFC)和DC-DC转换器构成的开关电源,以及逆变器电路2种。

  在电源方面,通过将PFC中的Si制快恢复二极管(FRD)及MOSFET更换为GaN制肖特基势垒二极管(SBD)及常关型(Normally-Off Type)FET,功率转换效率“提高了2~4个百分点”。在演示中,将利用Si器件和GaN器件的开关电源的输出功率设定为相同程度,根据输入功率的不同,比较了两种开关电源的功率转换效率。尽管输出电压同为约24V,输出电流同为约4.1A的约100W输出功率,但利用GaN元器件时,输入功率只有约124W,小于利用Si元器件时的约 129W。

  在逆变器电路的演示中,驱动了三相交流马达。逆变器电路利用的模块内置了6枚集SBD和常关型FET于1身的GaN元器件芯片。与利用Si制FRD及IGBT构成逆变器电路时相比,功率转换效率“提高了近1个百分点”

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编辑:ronvy
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