罗姆试制出使用GaN底板的常闭型纵向结构GaN类MOSFET,并进行了动作演示。其特点是“阈值电压为+2.8V,正合适”。
阈值电压越低,就越容易在低电压下导通。不过,如果阈值太低,有时就会在噪声影响下无意识地导通。“HEMT结构的常闭型GaN类晶体管,其阈值电压只有+1V左右”。因此,此次将阈值电压提高到+2.8V,与现有的Si材料功率MOSFET相同。这一数值是通过改进外延生长法和栅极氧化膜制作法实现的。
栅极电压为10V时,试制品的导通电阻为20mΩcm2。今后计划进一步降低导通电阻。解说员自信地说“有望降至1mΩcm2”。还将提高耐压,“将依次提高600V、900V”
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编辑:ronvy
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本文链接:罗姆展出阈值电压+2.8V的纵向GaN
http:www.cps800.com/news/2008-10/200810883355.html
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文章标签: 罗姆/GaN器件/MOSFET
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