Vishay Siliconix推出的新型TrenchFET® 功率MOSFET实现业内最低导通电阻

新型器件采用SO-8封装，具有3.3mΩ（在10V时）及5.5mΩ（在4.5V时）的优异性能

    2008年12月23日，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE 股市代号: VSH）日前宣布推出新型20-V和30-V p-通道 TrenchFET®功率MOSFET——Si7633DP和Si7135DP。这次推出的器件采用SO-8封装，具有±20-V栅源极电压以及业内最低的导通电阻。

    现有的同类SO-8封装器件额定电压下导通电阻仅低至24mΩ，而Vishay的Si7633DP具有3.3mΩ（在10V时）及5.5mΩ（在4.5V时）的超低导通电阻。这些值比最接近的同类30-V器件低27%（在10V时）和28%（在4.5V时），比最接近的同类25-V SO-8器件分别低28%和15%。30-V Si7135DP的导通电阻为3.9mΩ（在10V时）和6.2mΩ（在4.5V时），比最接近的同类器件分别低13%（在10V时）和19.5%（在4.5V时）。

    这次推出的两款MOSFET均采用PowerPAK® SO-8封装，可容许比其它SO-8封装器件高60%的最大漏电流和高75%的最大功率损耗。

    这两款新型器件可用作适配器切换开关，用于笔记本电脑及工业/通用系统中的负载切换应用。适配器切换开关（在适配器/墙壁电源和电池电源间切换）一直处于导通状态，消耗电流。Si7633DP和Si7135DP的低导通电阻能耗低，节省电力并延长两次充电间的电池可用时间。

    Vishay还推出了采用SO-8封装的Si4459ADY 30-Vp-通道TrenchFET功率MOSFET。该器件具有5mΩ（在10V 时）和7.75mΩ（在4.5V 时）的导通电阻。此次推出的所有器件100%通过Rg和UIS认证，且不含卤素。

    目前，该新型Si7633DP和Si7135DP TrenchFET功率MOSFET可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为10至12周。

    有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。