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飞兆半导体在印建研发中心 开发新一代功率MOSFET和IGBT技术

2008/2/26 10:01:10   电源在线网
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   专门提供可提升能效的高性能产品全球领先供应商飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 现已在印度普那 (Pune) 建立设计中心。这家研发中心将负责公司新一代功率MOSFET 和 IGBT 技术的设计和开发,支持太阳能逆变器、不间断电源|稳压器 (UPS)、汽车、照明和镇流器等普及应用。

    飞兆半导体提供业界最广泛的产品系列,从1W到大于1200W 的产品都一应俱全,可完全满足市场对高能效产品的需求。由于全球的燃油供应不断紧缺,而各国有关应用产品能效的各种强制性法规与标准相继出台,因此市场对更低功耗、更节能的新技术的需求持续上升。飞兆半导体专注于开发先进的产品和解决方案,以推动所有的电子应用实现高功效。

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编辑:coco
  来源:电子工程专辑
本文链接:飞兆半导体在印建研发中心 开发新一代功
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