安森美获EN-Genius颁发的“年度产品”奖

    全球领先的高能效电源管理解决方案供应商安森美半导体宣布公司的NUS3116充电和电源开关解决方案因其最简单的便携产品充电方法获得EN-Genius Network颁发的“年度产品”奖。

    NUS3116是主开关功率MOSFET和双充电双极结型晶体管(BJT)，将主电池开关、墙式充电开关和USB充电开关元件集成到单个元件中，优化充电性能，并节省手持电子设备电路板上弥足珍贵的空间。

    EN-Genius Network出版人兼总编辑Paul McGoldrick说：“我们从EN-Genius在2007年评审的数百款产品中甄选出安森美半导体的NUS3116，因为这器件为便携充电应用提供了简单及高性价比的解决方案。”
 
    关于NUS3116

    NUS3116集成了主电源开关-12 伏(V)、-6.2安培(A) μCool?单P沟道MOSFET ，处理主电池开关功能，还集成了两个内置低饱和PNP晶体管，处理两个通道充电元件。主开关MOSFET具有40毫欧(m?)的最大导通阻抗RDS(ON)，将便携电子产品电池工作期间的功率损耗降到最低。两个低Vce(sat)晶体管为高达2 A的充电电流提供良好的热性能，且在充电结束时的Vce压降低于240毫伏(mV)。

    NUS3116采用DFN-8封装，仅占用9平方毫米(mm2)的电路板空间，与通常使用三颗TSOP-6封装、需要互连空间的业界解决方案相比，节省了超过20 mm2的板空间。DFN-8封装的高度仅为0.8 mm，使该器件适用于极小外形的便携电子产品设计。采用 NUS3116 集成器件更可降低电路板布线的复杂性。NUS3116每3,000片的批量单价为0.80美元。