Microsemi宣布推出新的1.7KW RF发生器参考设计工具套件

     领先的高性能模拟和混合信号集成电路和高可靠性半导体器件制造商Microsemi Corporation宣布推出一个新的1.7KW推挽D类参考设计工具套件，该设计工具套件使得RF设计工程师能够立即对一个高效率、大功率的D类RF 放大器进行评估。

    基于Microsemi DRF1300 驱动器/MOSFET混合集成电路之上，这个新的参考设计工具套件为开发大功率、高电压的RF 发生器以及优化等离子体发生器、开关模式功率放大器、脉冲发生器、超声波转换器驱动器、声光模块的效率和功率密度提供了一个重要的工具。　

产品的主要特性：

• 输出功率超过1700 W
• D类运行的效率高于80%
• 开关频率：13.56 MHz
• 电源电压高达 250V 
• 内部MOSFET 的BV(DSS)额定值：500V
• 低成本的系统设计
• 适合于从电子管放大器转变为固态放大器

    D类放大器能够提供线性放大器所不能提供的高效率。然而，许多工程师或者回避D类放大器复杂的设计，或者不得已花费数月来学习它的基本原理。使用Microsemi新的DRF1300/D类参考设计工具套件，可使工程师迅速克服高电压D 类设计中的 困难，节约数月的设计时间，避免无数反复的设计。

    该工具套件的电路板以Microsemi DRF1300 驱动器/MOSFET混合集成电路为核心，能够获得以往固态D类放大器不可能实现的性能。DRF1300混合集成电路将二个驱动器、二个高电压MOSFET和内部旁路电容组合为一个推挽电路拓扑，成为一个高效率、高电压和高成本效益的解决方案。因为该驱动器与位置被优化的旁路电容相组合，所以能够在高于30MHz的频率下驱动高电压的MOSFET。500V的MOSFET使之能够应用于高电压，从而极大地简化输出匹配，并降低输出连接网络的复杂性。

    这套新的Microsemi D类参考设计工具套件包括：提供给设计者的应用指南，用来说明如何通过一系列的各种不同输出电压，来确定安全转换最大功率1700W到50欧姆负载所必需的合适输出波形。同时，它还演示了如何在较低的1KW输出下，达到高于90%的效率。它示

    范了在大功率D类功放的设计中, 对电源旁路电容和高功功率电感设计的要求.套件还提供装配齐全的电路板，该电路板安装在一个机械加工的散热器之上。

    该D类参考设计工具套件是非常通用的设计工具。在评估了采用预负荷500V、30A的DRF1300混合集成电路的一个设计之后，能够很容易地用1000V、15A 的DRF1301驱动器/MOSFET混合集成电路来改造这个设计，使之适用于需要更高电压的应用。

    DRF1300混合集成电路的特点是采用空气腔-无凸缘的封装，这种封装比常规的塑料封装具有更高的可靠性。因为无凸缘封装使用热膨胀系数(CTE)接近匹配的材料，所以可以减轻在功率循环期间内元器件之间的应力，使系统的可靠性最大化。在超过一百万次的循环中，演示了典型应用，其功率密度为 700W/平方英寸。由于无凸缘封装设计的采用，不再需要通常在大功率RF封装中使用的昂贵的铜-钨翼板，因此也降低了成本。

    目前，DRF1300/D类参考设计工具套件已可供货，单价为 $1600。并可提供DRF1300和DRF1301驱动器/MOSFET混合集成电路的样品。另外，对于批量为100 的DRF1300混合集成电路的订货，单价为$225.00。所有的器件都通过工厂或经授权的Microsem RF产品批发商供货。