MOSFET成为中国功率器件市场发展亮点

    国中，电源管理IC仍旧占据市场首要位置，MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）位于第二位，大功率晶体管位于第三位，此三大产品销售额占整体市场的80%以上。IGBT（绝缘栅双极晶体管）销售额虽然不大，但随着其在工业控制、消费电子领域中应用的不断增多，其市场销售额保持着较快的增长，是中国功率器件市场中的新兴产品。

　　从应用领域上看，消费电子领域销售额位列第一位，工业控制居于第二，计算机领域销售额位于第三位。这三大领域销售额占整体市场的68.9%，是功率器件的重要应用市场。同时，凭借笔记本电脑在2007年产量的快速增长，计算机领域对于功率器件的需求额增长率位于各领域之首。

　　MOSFET成为市场发展亮点

　　2007年，中国市场上对于电源管理IC的需求有所放缓。这主要是受到下游整机产量以及库存调整的影响。随着中国厂商不断进入LDO（低压差线性稳压器）、DC-DC（直流-直流）等产品市场，低端电源管理IC产品价格出现一定程度的下滑。在市场需求量增速放缓以及产品价格下滑的双重影响下，2007年中国电源管理IC市场销售额增长14.8%，比2006年23.2%的增长率有较大幅度的下滑。但即使2007年中国电源管理IC市场增长有所放缓，中国电源管理IC市场的增长率依旧高于全球3.8%的水平。

　　在功率分立器件中，相较于大功率晶体管、达林顿管以及晶闸管的低增长率，MOSFET和IGBT依旧保持了较快的发展。其中MOSFET已经广泛应用在主板、镇流器、笔记本电脑、计算机类电源适配器、液晶电视等产品中，凭借着较快的市场增长率以及广阔的市场发展空间，MOSFET成为中国分立功率器件市场发展亮点。

　　2007年，中国笔记本电脑产量增长率超过40%，液晶电视产量增长率也超过了70%，快速增长的整机产量带动了中国MOSFET的市场需求，但由于整体整机产量增长趋于平稳，MOSFET市场需求量增长率较2006年有所下降。2007年中国MOSFET市场需求量达到171.2亿个，市场需求额为220.5亿元。

　　凭借在消费类电源适配器、镇流器等产品中的庞大用量，消费电子领域对于MOSFET产品的需求量位列各领域之首，而MOSFET在计算机主板、笔记本电脑、计算机类适配器、液晶显示器等产品中的广泛使用，则使得计算机领域仅次于消费电子位于市场需求量的第二位。网络通信、工业控制、汽车电子以及电力设备领域对于MOSFET的需求量位于第三至六位。主板应用中主要使用低压大电流MOSFET产品，其产品单价比较高。相对于计算机产品应用，消费电子领域中低压小电流产品所占比重比较大，其产品价格相对较低。受此影响，计算机领域MOSFET需求额超过消费电子领域位于第一位，消费电子领域位于其后，而工业控制领域需求额则位于第三位。

　　本土企业竞争力有待提升

　　在中国功率器件市场中，欧美厂商占有比较大的优势地位，2007年排名前10位的功率器件生产企业中，欧美厂商占据9席。在前10位的厂商中，德州仪器|仪表和美国国家半导体主要专注于电源管理IC产品的生产，而威旭则在MOSFET细分产品市场中拥有较强的市场竞争力。

　　飞兆、意法、安森美等企业产品线涵盖广泛，产品包括功率分立器件、电源管理IC。目前来看，这些企业产品质量好，技术实力强，在功率器件市场中处于领先地位。

　　近年来，中国台湾企业逐步导入电源管理IC和功率器件产品的生产，这些企业凭借着较低的产品价格在中低端市场得到了比较快速的发展。立钅奇、富鼎先进、茂达、安茂、致新、沛亨、崇贸是中国台湾地区具有代表性的厂商。

　　在本土企业中，近年来出现了一批从事电源管理IC生产的企业，但这些企业多以设计企业为主，产品主要集中在LDO、DC-DC。对于MOSFET、IGBT等高端功率分立器件产品，现阶段大陆地区还缺乏有实力的IDM（垂直集成型）企业。但随着飞兆等功率器件生产企业把一部分MOSFET的代工生产放到大陆地区来做，大陆地区MOSFET代工服务取得了一定的发展。目前，无锡华润上华、吉林麦吉柯、上海先进、华虹NEC都在进行MOSFET产品的代工服务。在这些企业中华虹NEC和先进半导体主要是用8英寸线进行MOSFET产能代工服务，华润上华则采用6英寸线进行MOSFET的代工服务，吉林麦吉柯则采用5英寸线进行MOSFET产品代工服务。而未来几年，吉林华微、天津中环也将进入MOSFET市场。

　　综上所述，欧美日企业在中国功率器件市场上凭借着出色的产品质量处于领先地位，中国台湾企业则凭借着良好的产品性价比在市场中得到了较快的发展，而中国大陆企业在中国功率器件市场上的竞争力还很弱，企业实力有待提升。

　　MOSFET产品迈向高端工艺

　　随着消费电子、计算机等领域的快速发展，对功率器件产品的需求也呈现快速增长的趋势，而产品的小型化也使得高可靠性、节能、高性能、小尺寸、符合RoHs指令成为功率器件未来的发展趋势。封装工艺的提升则是提高MOSFET性能以及稳定性的有效途径。随着市场上对更小巧轻薄、更快速、散热更好及性能更可靠的便携式应用MOSFET器件的需求的快速增加，全球主要MOSFET生产企业IR、安森美、英飞凌等都在不断通过提升封装工艺来改善器件散热水平。

　　MOSFET技术可大致分成平面型和沟槽型两大类。对于低压MOSFET产品，沟槽MOSFET技术已被市场所接受，并成为市场的发展趋势。在高压MOSFET市场上，平面技术仍具有一定的发展潜力。未来，含有高端工艺的平面技术将是高压MOSFET的发展趋势之一。