今年五月,罗姆与日产汽车共同开发出了可靠性高的SiC二极管。采用了日产开发的异质结二极管(Heterojunction Diode,HJD)结构,与以往使用肖特基二极管(Schottky Diode,SBD)的SiC二极管相比,雪崩耐量(Avalanche Capability)提高到了原来的10倍左右,抗击穿性大幅提高,达到了原来的10倍左右。异质结为聚硅与SiC的组合体。
向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时,电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减。此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量,表示施加电压时的抗击穿性。
为了用于混合动力车、燃料电池车、电动汽车车等的逆变器上,要求使用高耐压、大电流容量的二极管。而目前主流的硅二极管,其导通电阻高达5mΩcm2~10mΩcm2,除了会发生功率损耗外,还需要对功率损耗引起的发热采取措施。使用SiC时,不仅可以提高耐压性,而且还能够将导通电阻降至1mΩcm2以下,从而降低功耗。不过,由于雪崩耐量比硅低,因此在用于低温环境或启动时容易产生电压噪音的车用逆变器时,还存在问题。
此次开发的二极管的芯片特性为5mm见方、耐压900V、导通电阻0.85mΩcm2。可在车用逆变器电路中采用可靠性高的SiC二极管,将逆变器电路的能量效率提高约20%,并简化散热板等冷却装置,从而使包括周边装置的整个逆变器实现大幅小型轻量化。
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编辑:ronvy
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本文链接:罗姆与日产汽车共同开发出可靠性高SiC
http:www.cps800.com/news/2008-9/2008926111355.html
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文章标签: SiC二极管/汽车逆变器
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