Vishay 推出具双面冷却功能功率MOSFET和肖特基二极管

新型 SkyFET® 器件采用密封PolarPAK® 封装，导通电阻低至0.0024Ω，Qrr为30-nC， 可处理的电流比SO-8高50%

 9 月 26 日,Vishay Intertechnology宣布，推出业内首款采用具有顶底散热通路的封装的30V单片功率MOSFET和肖特基二极管 --- SkyFET® SiE726DF，该器件可在具有强迫通风冷却功能的系统中高效能的运作。新型SkyFET® SiE726DF器件采用具有双面冷却功能的PolarPAK®封装，可提升高电流、高频运用的效率。

    新型SiE726DF在10V栅极驱动时，具有极低的导通电阻，最大为0.0024Ω（在4.5V驱动时，最大为0.0033Ω）；且在无散热片的情况下，能够处理的电流水平比具有相同占位大小的SO-8高50%，并为服务器和通信系统中的高电流直流 --- 直流转换器的同步整流低端控制开关、VRM运用、显卡和负载点等应用进行了优化。该器件的典型栅极电荷为50nC，具有很低的Qgd/Qgs比率，能够提供良好的击穿保护。

    集成了MOSFET和肖特基二极管的SiE726DF具有的Qrr为30nC，VSD 为0.37V，两者均比标准MOSFET低50%以上；且因为寄生器件减少和MOSFET体二极管相关的功率损耗降低，效率也得到了提高。而且随着开关频率的升高，器件的功率损耗则会越来越显著的减少。此外，取消外接肖特基二极管不仅可在降低成本的同时，更令设计人员创造出更小、更简洁的电路设计。

    Vishay 的 PolarPAK封装提供的双面冷却功能在高电流运用领域表现出理想的散热性能，这使器件能够在更低结温下运作 --- 顶部热阻为1°C/W，底盘热阻为1°C/W。这种封装除简化生产外，基于引线框架的密封设计因芯片密封，同样提供了保护和可靠性。无论芯片大小，该器件提供相同的布局布线，简化PCB设计，且100%通过Rg 和 UIS 测试。

    目前，可提供SiE726DF的样品与量产批量，大宗订单的的供货周期为 10 至14 周。