Vishay推出业界首款采用MICRO FOOT®芯片级封装的TrenchFET®功率MOSFET

新型20Vn通道器件具有1.55mm×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度，提供1.8V VGS时0.043Ω至4.5V VGS时0.037Ω的低导通电阻范围

    2009年1月19日，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布推出业界首款采用MICRO FOOT®芯片级封装的TrenchFET®功率MOSFET---Si8422DB，该器件具有背面绝缘的特点。

    Si8422DB针对手机、PDA、数码相机、MP3播放器及智能电话等便携设备中的功率放大器、电池和负载切换进行了优化。该器件2-mil背面涂层可实现对MICRO FOOT封装的顶部绝缘，以防与便携器件中移动部件暂时接触而产生的电路短路。

    此绝缘设计令该器件可用于具有非常严格的高度要求的应用，从而设计人员可灵活放置MOSFET，屏蔽、按钮或触摸屏等其他零部件可直接放置在MOSFET的上方，这在压低上述部件空间时将进一步压缩产品的高度。此设计灵活性还可减少寄生效应，由于无需路由至PCB上的区域及更少的高度限制，电路布局可更好地优化。

    20Vn通道Si8422DB具有1.55mm×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度。该器件提供了1.8V VGS时0.043Ω至4.5V VGS时0.037Ω的低导通电阻范围，且最大栅源电压为±8V。

    目前，新型Si8422DB可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为10至12周。
【可从以下网址下载高分辨率图像(<500K)：http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=453】

VISHAY SILICONIX简介
Vishay Siliconix是现今世界上排名第一的低压功率MOSFET和用于在计算机、蜂窝电话和通信基础设备的管理和功率转换以及控制计算机磁盘驱动和汽车系统的固态开关的供应商。Vishay Siliconix的硅技术和封装产品的里程碑，包括在业内建成第一个基于槽硅工艺（TrenchFET®）的功率型MOSFET和业内第一个小型的表面贴装的功率型MOSFET（LITTLE FOOT®）。
创新的传统不断的衍生出新的硅技术，例如被设计用来在直流电到直流电的转换和负荷切换的应用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技术，以及可以满足客户需求的更佳热性能（PowerPAK®）和更小空间（ChipFET®，MICRO FOOT®）新的封装选择。除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的产品还包括功率集成电路和业界最杰出的模拟交换和多路复用器的线路。Vishay Siliconix功率集成电路的发展不仅专注于应用在蜂窝电话、笔记本计算机、和固定电信基础设备的功率转换元件，而且也同样关注低电压、约束空间的新型模拟开关集成电路。
Siliconix创建于1962年，在1996年Vishay购买了其80.4%的股份使其成为Vishay子公司。

VISHAY简介
Vishay Intertechnology,Inc.是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电器件及某些精选IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及提供“一站式”服务的能力使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站www.vishay.com。
TrenchFET®和PowerPAK®是Siliconix Incorporated的注册商标。