日前,Analog Devices, Inc.最新推出新型高速 18V MOSFET 驱动器系列,该系列产品具有14 ns 至35 ns 的传播延迟和10 ns 至25 ns 的边沿上升/下降时间。新型 ADP36xx MOSFET 驱动器系列由于具有过温保护、UVLO(欠压锁定)和精密关断能力,从而提高了系统可靠性。这些驱动器可与 PWM(脉宽调制)控制器(如 ADI 公司获奖的 ADP1043数字控制器)配套使用,以提高系统效率,同时实现隔离电源转换和马达控制系统的高开关频率。
ADP36xx 系列高速 MOSFET 驱动器的关键特性和优势如下:
-- 高达18V 的输入,使其成为12V电源的理想之选
-- 高速开关可提供低传播延迟和快速边沿上升/下降时间,以实现更高的效率和高频运行。
-- 过温报警和关断功能提供增强的系统安全性和保护。
-- 精密关断功能可提供后备保护功能,防止出现灾难性故障和损害。
-- UVLO 功能可确保所有启动和关断情形下的驱动完整性。
这些新型高电流、高速、双路18V 驱动器能够驱动两个独立的N沟道电源 MOSFET。这些驱动器采用工业标准封装,具有内部温度传感器,在极端结温下提供两个级别的过温保护功能:过温报警和过温关断。由精密内部比较器提供的关断功能可实现快速系统使能或关断,并支持冗余的过压保护功能,补充了开关控制器的保护功能。宽输入电压范围使驱动器能够同时与模拟和数字 PWM 控制器兼容。数字电源控制器由低压电源供电,驱动器由较高电压电源供电。UVLO 和滞后功能与低压数字控制器配合使用时支持较高电压电源的安全启动和关断。该产品系列采用散热增强型 SOIC_EP(带裸露焊盘的小外形封装)和 Mini SO_EP(带裸露焊盘的微型小外形封装)封装,在较小印刷电路板 (PCB) 面积内可最大限度地提升高频驱动性能。■
来源:EDN电子设计技术
http:www.cps800.com/news/2009-12/20091239418.html