Vishay推出第五代肖特基二极管，确立业界新标准

采用次微米沟槽技术的新型器件采用D-Pak封装，具有达+175°C最大结温、6A至20A额定电流范围、小于0.54V的超低典型正向压降和低至3mA的反向漏电流

    宾夕法尼亚、MALVERN—2009年2月27日，Vishay Intertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）推出四款第五代高性能45V和100V肖特基二极管---6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN和20WT04FN。Vishay此次推出的器件将D-Pak的电流能力扩展至高达20A，从而确定了业界的新标准。这些器件采用次微米沟槽技术，适合用作高效率、高密度解决方案的独立封装，以及D2-Pak封装的低成本小型替代品。RBSOA可实现紧凑、低成本设计。

    6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN和20WT04FN具有达+175°C的最大结温、超低正向压降和低反向漏电流，确保设计人员可增加汽车、太阳能和其他高温应用中的功率密度。四款器件均可提供I-Pak版本。

    日前发布的肖特基二极管在6A和20A、+125°C时最大典型正向压降低于0.54V（对于45V器件），在10A和20A时最大典型正向压降低于0.65V（对于100V器件）。45V二极管在+125°C时反向漏电流为3mA和7mA，而100V二极管为4mA，且参数分布非常紧凑。这些器件提供优化的VF与IR权衡，可实现更高的系统效率。

    这些二极管已为交流到直流次级整流、反激式、降压与升压转换器、半桥、电池反接保护、续流、直流到直流模块及太阳能光伏发电旁路二极管应用进行了优化。典型的最终产品包括高功率密度SMPS；台式电脑适配器；服务器；消费性电子产品，如PDP、LCD及高效音频系统；及笔记本电脑、手机及便携式媒体播放器等移动电子产品。这些二极管符合针对汽车驱动和控制装置的AEC-Q101标准。

    45V和100V器件分别具有57V和118V的典型稳定高击穿电压，可适应电压峰值并优化功率密度，在这些二极管中，功率密度均增加了25%。这些器件坚固耐用，其抗反向雪崩能力提高了30%，雪崩时元件可获得完全屏蔽，且开关损耗极小。

    目前，新型肖特基二极管可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为6至8周。【http://www.vishaypr.com/photopost/showphoto.php?photo=470】

    VISHAY简介
    Vishay Intertechnology,Inc.是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富1,000强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、晶体管、光电器件及某些精选IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及提供“一站式”服务的能力使Vishay成为了全球业界领先者。有关Vishay的详细信息，敬请浏览网站www.vishay.com。