Vishay Siliconix推出新款500V功率MOSFET

器件在10V栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.27Ω、栅电荷仅为65nC

 
    日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型500V电压的功率MOSFET --- SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)、SiHG20N50C，将该公司的6.2代N沟道平面FET技术延伸到TO-220、TO-220F和TO-247封装上。
 
    新的SiHP18N50C(TO-220)、SiHF18N50C(TO-220 FULLPAK)和SiHG20N50C具有500V的额定电压，在10V栅极驱动下的最大导通电阻仅有0.27Ω。低RDS(on)意味着更低的传导损耗，从而为各种电子系统中的功率因数校正(PFC)和脉宽调制(PMW)应用节约能量，这些应用包括LCD TV、PC机、服务器、通信系统和焊接机器。
   
    除了低导通电阻，这些器件的栅电荷只有65nC。栅电荷与导通电阻的乘积是评价用于功率转换应用中MOSFET的关键品质因数(FOM)，这些器件的品质因数只有17.75。
 
    为提高操作的可靠性，器件经过了100%的雪崩测试，可承受高单脉冲(EAS)和反复(EAR)雪崩能量。器件可处理72A的脉冲电流和18A的连续电流。所有这三款器件均具有有效的输出电容规格。与前一代500V功率MOSFET相比，新器件在跨导和反向恢复特性上也有所改进。

关键器件指标：

    SiHP18N50C和SiHF18N50C可提供无铅端子，采用TO-220和FULLPAK封装。SiHG20N50C提供无铅的TO-247封装。新器件现可提供样品，将于2009年第三季度实现量产，大宗订货的供货周期为八周至十周。

VISHAY SILICONIX简介
    Vishay Siliconix 是现今世界上排名第一的低压功率MOSFET和用于在计算机、蜂窝电话和通信基础设备的管理和功率转换以及控制计算机磁盘驱动和汽车系统的固态开关的供应商。Vishay Siliconix的硅技术和封装产品的里程碑，包括在业内建成第一个基于槽硅工艺（TrenchFET®）的功率型MOSFET和业内第一个小型的表面贴装的功率型MOSFET(LITTLE FOOT®)。
    创新的传统不断的衍生出新的硅技术，例如被设计用来在直流电到直流电的转换和负荷切换的应用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技术，以及可以满足客户需求的更佳热性能(PowerPAK®) 和更小空间(ChipFET®，MICRO FOOT®)新的封装选择。 除了功率MOSFET外，Vishay Siliconix的产品还包括功率集成电路和业界最杰出的模拟交换和多路复用器的线路。Vishay Siliconix功率集成电路的发展不仅专注于应用在蜂窝电话、笔记本计算机、和固定电信基础设备的功率转换元件，而且也同样关注低电压、约束空间的新型模拟开关集成电路。
    Siliconix创建于1962年，在1998年Vishay购买了其80.4%的股份使其成为Vishay子公司。

VISHAY简介
    Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市（VSH）的“财富 1,000 强企业”，是全球分立半导体（二极管、整流器、MOSFET、光电器件及某些精选 IC）和无源电子元件（电阻器、电容器、电感器、传感器及转换器）的最大制造商之一，这些元件可用于工业、计算、汽车、消费、电信、军事、航空航天及医疗市场的各种类型的电子设备。凭借产品创新、成功的收购战略，以及“一站式”服务使 Vishay 成为了全球业界领先者。有关 Vishay 的详细信息，敬请浏览网站 www.vishay.com。■